Транзисторы

Транзистор G60N100BNTD 2-21f2c
Транзисторы IGBT

Транзистор G60N100BNTD 2-21f2c

266555
27,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.9 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор GFB50N03 (50N03)
Полевые транзисторы

Транзистор GFB50N03 (50N03)

266060
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.002 Ohm
Транзистор GL60N100BNTD to264a
Транзисторы IGBT

Транзистор GL60N100BNTD to264a

293137
33,20 BYN
Маркировка: G60N100BNTD Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.9 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура...
Транзистор GT30F131 (30F130) to-263-3
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30F131 (30F130) to-263-3

266566
6,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
Показано 3745-3768 из 6609
Транзисторы
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.