Транзистор GPF4536 to220f

Транзистор GPF4536 to220f

Артикул: 293138

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.59V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50.0A

12,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293138

Просмотренные товары

Микросхема 169УП1 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 169УП1 Au

299582
6,40 BYN
Микросхемы 169-серии представляют собой схемы интерфейса, ТТЛ-типа, выполненные по биполярной технологии с изоляцией p-n переходом, предназначенные для работы в устройствах управления цепями записи и считывания информации в адресных и разрядных шинах и преобразования сигналов, считываемых с блоков памяти запоминающих устройств ЦВМ и устройств дискретной...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRG7S313U
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG7S313U

278009
8,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 78W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.45V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A
Транзистор 25N15L (SUD25N15-52) to-252 (d-pak)
Транзисторы IGBT

Транзистор 25N15L (SUD25N15-52) to-252 (d-pak)

266418
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 72 nC Время нарастания (tr): 3...
Транзистор STGB10NB37LZ (ISL9V3040S3S, 00210)
Транзисторы IGBT

Транзистор STGB10NB37LZ (ISL9V3040S3S, 00210)

267410
20,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.3V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 16V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор GT30J122A
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30J122A

305013
14,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 Максимальная температура перехода (Tj): 150
Транзистор SGL160N60UFD to264
Транзисторы IGBT

Транзистор SGL160N60UFD to264

293380
57,20 BYN
Наименование: SGL160N60UFD Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 100 Корпус: TO264
Транзистор FMH16N50E to3p
Транзисторы IGBT

Транзистор FMH16N50E to3p

293119
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 195 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 16 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRGPS60B120KDP
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGPS60B120KDP

268396
100,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 595W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.75V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 120A
Транзистор 2SD2499
Транзисторы IGBT

Транзистор 2SD2499

295046
5,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Встроенный резистор цепи смещения R2 = 0.04 kOhm Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора...
Транзистор GT50N322(A) to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор GT50N322(A) to-220

266547
17,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 156 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.2 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.