Транзистор GT30F131 (30F130) to-263-3

Транзистор GT30F131 (30F130) to-263-3

Артикул: 266566

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)

6,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

IGBT 360V,200A_Discrete IGBT

266566
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема 1533ЛИ1 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 1533ЛИ1 Au

299854
16,00 BYN
Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ. Микросхемы 1533ЛИ1 представляют собой четыре логических элемента 2И.Корпус типа 401.14-5.Диапазон рабочих температур: -60 +125 °С.Допустимое значение потенциала статического электричества: 200 ВНапряжение питания: 5,0 В ±10%Пример записи условного обозначения при заказе и в...
View
Микросхема 142ЕН4 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 142ЕН4 Au

299535
43,00 BYN
 представляют собой мощные стабилизаторы напряжения с регулируемым выходным напряжением положительной полярности с защитой от перегрева и перегрузок по току.Изготовлены по совмещенной биполярно-полевой технологии.Корпус типа 4116.8-3, масса не более 3 г.Технические условия: бК0.347.098 ТУ4.
View
Микросхема 286ЕП1 АПМ Au (форм.)
Микросхемы отечественные

Микросхема 286ЕП1 АПМ Au (форм.)

299953
10,80 BYN
Микросхема 286ЕП1АПМ - микроминиатюрное электронное устройство, все или часть элементов которого нераздельно связаны конструктивно и соединены между собой электрически.По своему функциональному назначению интегральные микросхемы делятся на две основные группы: аналоговые, или линейно-импульсные, и логические, или цифровые, микросхемы. Аналоговые...
View
Микросхема 1533ЛА7 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 1533ЛА7 Au

299848
8,00 BYN
Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ. Микросхемы 1533ЛА7 представляют собой два логических элемента 4И-НЕ с открытыми коллекторными выходами.Корпус типа 401.14-5.Диапазон рабочих температур: -60 +125 °С.Допустимое значение потенциала статического электричества: 200 ВНапряжение питания: 5,0 В ±10%Пример записи...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор KF7N60F
Полевые транзисторы

Транзистор KF7N60F

311961
9,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 100 pf...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRG4PSC71UD
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4PSC71UD

268393
51,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 350W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.00V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60A Максимальная температура перехода (Tj): 150
View
Транзистор GT50N322(A) to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор GT50N322(A) to-220

266547
17,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 156 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.2 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Транзистор IRGB20B60PD1 to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGB20B60PD1 to-220

266565
25,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 215W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.35V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A
View
Транзистор SPA15N60C3
Транзисторы IGBT

Транзистор SPA15N60C3

275904
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 AСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm
View
Транзистор IRG4BC30UD (IGBT 23A, 600В) to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4BC30UD (IGBT 23A, 600В) to-220

266556
10,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12A Максимальная температура перехода (Tj): 150
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор KF7N60F
Полевые транзисторы

Транзистор KF7N60F

311961
9,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 100 pf...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.