Транзистор GH40N60B2D1

Транзистор GH40N60B2D1

Артикул: 293134

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.7V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 75A

Время нарастания: 82

41,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293134

В этой категории 16 товаров:

Транзистор GT60N321 (Q) (60A, 1000V)
Транзисторы IGBT

Транзистор GT60N321 (Q) (60A, 1000V)

268392
32,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 170 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода (Tj): 150
Транзистор FD15P05
Транзисторы IGBT

Транзистор FD15P05

275908
7,00 BYN
Полярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сток-исток открытого транзистора...
Транзистор 2SD2499
Транзисторы IGBT

Транзистор 2SD2499

295046
5,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Встроенный резистор цепи смещения R2 = 0.04 kOhm Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора...
Транзистор RJH30E2
Транзисторы IGBT

Транзистор RJH30E2

266705
6,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.7 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 35 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор G15N60HS d2pak (to263)
Транзисторы IGBT

Транзистор G15N60HS d2pak (to263)

293128
10,40 BYN
Маркировка: G15N60HS Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 138W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.5V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 27A
Транзистор GT60M303
Транзисторы IGBT

Транзистор GT60M303

268391
42,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.7V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 15V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 400
Транзистор STGW30NC120HD
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW30NC120HD

305009
32,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 220 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 Тип корпуса: TO247
Транзистор IRG4PC50U (IGBT 55A, 600В) to-247ac
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4PC50U (IGBT 55A, 600В) to-247ac

266422
22,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 27A Максимальная температура перехода (Tj): 175
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.