Транзистор GPF50N33BT to220f

Транзистор GPF50N33BT to220f

Артикул: 293139

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50.0A

17,20 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293139

Просмотренные товары

Микросхема 1804ВС1 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 1804ВС1 Au

299689
27,00 BYN
Микросхемы 1804ВС1 представляют собой 4-разрядную наращиваемую микропроцессорную секцию параллельной обработки информации.Рассчитана на микропрограммное управление, имеет двухвходовое АЛУ, двухпортовую регистровую память 16x4, рабочий регистр, тристабильную выходную шину и две пары двунаправленных тристабильных линий сдвига.Предназначена для применения в...
View
Микросхема 564ЛА7 Nb
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ЛА7 Nb

300280
3,20 BYN
цифровая микросхема 564-ой серии, являются транзисторной логикой с функционалом четыре логических элемента 2И-НЕ и используются в РЭА большой области эксплуатации. Производятся в керамометаллическом корпусе. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при эксплуатации от минус 60 до плюс 125oC. Климатически...
View
Микросхемы 1526ЛС2 Au
Микросхемы отечественные

Микросхемы 1526ЛС2 Au

299752
13,00 BYN
Четыре логических элемента «И-ИЛИ». Технология – КМОП. Технические условия исполнения: бК0.347.458-11 ТУ (для 1526ЛС2), АЕЯР.431200.127 - 08ТУ (для Б1526ЛС2 – 1ЭП). Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Основные характеристики: Предельно допустимое напряжение питания от 4,5 В до 11,0 В. Предельное напряжение...
View
Микросхема ADUM1301CRWZ
Микросхемы импортные

Микросхема ADUM1301CRWZ

306421
20,00 BYN
'Цифровой изолятор интерфейсов; 2500 B скз; вх/вых: 2/1; 90 Мбит/с; 2.7...5.5 ВТехнические характеристики:Корпус: SOIC-16, широкий;Конфигурация каналов: 2/1;Температурный диапазон: -40…+100 °С;Напряжение изоляции: 2.5 кВ скз, 1 мин;Напряжение питания: 2.7…5.5 ВСкорость передачи данных: 90 Мбит/с;Время задержки распространения: 45 нс;Минимальная ширина...
View
Транзистор H1NK60Z sot223
Полевые транзисторы

Транзистор H1NK60Z sot223

293178
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор GT45G128 to220f
Транзисторы IGBT

Транзистор GT45G128 to220f

293144
23,20 BYN
Наименование: GT45G128 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 430 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.55 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
View
Транзистор IRGPS60B120KDP
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGPS60B120KDP

268396
100,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 595W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.75V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 120A
View
Транзистор IHW30N160R2 to247
Транзисторы IGBT

Транзистор IHW30N160R2 to247

293258
30,00 BYN
Наименование: IHW30N160R2 Маркировка: H30R1602 Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.35V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60A Корпус: TO247
View
Транзистор GT30J122 to3p
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30J122 to3p

293142
47,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 Максимальная температура перехода (Tj): 150
View
Транзистор GT50N322(A) to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор GT50N322(A) to-220

266547
17,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 156 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.2 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Транзистор 2SJ6920 2-21F1A
Транзисторы IGBT

Транзистор 2SJ6920 2-21F1A

295045
20,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A Статический коэффициент передачи тока...
View
Транзистор GT60M301
Транзисторы IGBT

Транзистор GT60M301

268390
41,36 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.4V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 15V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 400
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.