Транзистор GA15N120ANTD to3p

Транзистор GA15N120ANTD to3p

Артикул: 293133

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15.0A

19,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293133

Просмотренные товары

Микросхема 228КН1 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 228КН1 Ni

299820
5,40 BYN
Микросхема 228КН1 - микроминиатюрное электронное устройство, все или часть элементов которого нераздельно связаны конструктивно и соединены между собой электрически.По своему функциональному назначению интегральные микросхемы делятся на две основные группы: аналоговые, или линейно-импульсные, и логические, или цифровые, микросхемы. Аналоговые микросхемы...
View
Транзистор 60R070P6 ( 6R070P6 )
Полевые транзисторы

Транзистор 60R070P6 ( 6R070P6 )

276067
22,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 391 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 53.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Микросхема 217ЛБ3 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 217ЛБ3 Ni

299783
1,20 BYN
Микросхема 217ЛБ3 представляет собой логический элемент 6И-НЕ с повышенным коэффициентом разветвления.Изготовлены по ДТЛ (диодно-транзисторная логика) технологии и предназначены для применения в электронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в 13-выводном прямоугольном металлостеклянном корпусе с вертикальным расположением выводов для монтажа...
View
Микросхема 1135СА1 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 1135СА1 Au

299225
43,20 BYN
представляет собой компаратор напряжения с запоминанием предыдущего состояния с ЭСЛ уровнями, 6.5 нс.Изготовлены по биполярной технологии и используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
View
Микросхема 533ЛА3 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 533ЛА3 Au

300285
9,20 BYN
Цифровая микросхема серии ТТЛ изготовлена по биполярной технологии.Микросхемы 533ЛА3 представляют собой четыре логических элемента 2И-НЕ.Предназначены для применения в аппаратуре специального назначения.Содержат 80 интегральных элементов.Корпус типа 401.14-5, масса не более 0,65 г.Напряжение питания: 5 ±10% В.Рабочая температура: -60...+125°С.Импортный...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRGB20B60PD1 to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGB20B60PD1 to-220

266565
25,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 215W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.35V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A
View
Транзистор STGW39NC60VD
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW39NC60VD

282563
17,00 BYN
ехнология/семейство powermesh Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А 220 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 250 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 33 Время задержки выключения...
View
Транзистор RJH30E2
Транзисторы IGBT

Транзистор RJH30E2

266705
6,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.7 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 35 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.