Транзистор GT30F122

Транзистор GT30F122

Артикул: 274687

300V, 120A IGBT – Toshiba

6,84 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
274687
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор IRFI9630G
Полевые транзисторы

Транзистор IRFI9630G

276450
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRGP4062D to-247
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGP4062D to-247

266564
20,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.95V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 48A
View
Транзистор IRF635
Транзисторы IGBT

Транзистор IRF635

270162
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.5 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.68 OhmТип корпуса: TO220
View
Транзистор G60N100BNTD 2-21f2c
Транзисторы IGBT

Транзистор G60N100BNTD 2-21f2c

266555
27,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.9 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Транзистор 20N120 (WH20R1203,IHW20N120R2,IXGH20N120A3)...
Транзисторы IGBT

Транзистор 20N120 (WH20R1203,IHW20N120R2,IXGH20N120A3) to-247

265403
16,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 780 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.