Транзистор GH40T100SMD to247

Транзистор GH40T100SMD to247

Артикул: 293135

IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт

53,60 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293135

Просмотренные товары

Микросхема 564ТР2 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ТР2 Ni

300474
2,60 BYN
цифровая микросхема 564-ой серии, являются транзисторной логикой с функционалом 4 триггера RS-типа и используются в РЭА большой области эксплуатации. Производятся в керамометаллическом корпусе, функциональный аналог CD4043А. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при эксплуатации от минус 60 до плюс 125oC....
View
Микросхема 564ТМ2 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ТМ2 Au

300468
10,80 BYN
цифровая микросхема 564-ой серии, являются транзисторной логикой с функционалом два триггера D типа и используются в РЭА большой области эксплуатации. Производятся в керамометаллическом корпусе. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при эксплуатации от минус 60 до плюс 125oC. Климатически исполнены УХЛ и...
View
Микросхема 504НТ4В Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 504НТ4В Au

300030
13,00 BYN
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.Микросхемы 504НТ4В представляют собой сильноточную согласованную пару полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом, предназначенных для применения во входных каскадах усилителей постоянного тока, в дифферренциальных и операционных усилителях и коммутаторах.Корпус типа 301.8-2,...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRGB20B60PD1 to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGB20B60PD1 to-220

266565
25,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 215W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.35V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A
View
Транзистор FD15P05
Транзисторы IGBT

Транзистор FD15P05

275908
7,00 BYN
Полярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сток-исток открытого транзистора...
View
Транзистор GT30J122A
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30J122A

305013
14,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 Максимальная температура перехода (Tj): 150
View
Транзистор GTP14N36G3VL
Транзисторы IGBT

Транзистор GTP14N36G3VL

293146
14,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.45V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 10V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.