Транзистор GT30G122 to-220f

Транзистор GT30G122 to-220f

Артикул: 266559

транзистор IGBT, 400 В, 30 А

6,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

IGBT 400V,30A

266559
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема 142ЕН5Г Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 142ЕН5Г Au

299539
19,40 BYN
представляют собой мощные стабилизаторы напряжения с фиксированными выходными напряжениями положительной полярности +6 В и током нагрузки до 2 А.Имеют встроенную защиту от короткого замыкания, защиту от перегрузок по току и от перегрева кристалла.Предназначены для работы в источниках вторичного электропитания радиоэлектронной аппаратуры специального...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор FQPF18N20
Полевые транзисторы

Транзистор FQPF18N20

277832
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 21.1 ns Выходная емкость (Cd): 81.2...
View
Микросхема TDA2030 ( К174УН19)
Микросхемы импортные

Микросхема TDA2030 ( К174УН19)

260366
3,08 BYN
является монолитной интегральной схемой, выпускается в Pentawatt корпусе. Предназначена для использования в качестве усилителя низкой частоты класса AB. Как правило, она обеспечивает 14W выходной мощности (d = 0.5%) при 14V (двухполярном) или 28V (однополярном) напряжении питания и нагрузкой в 4 Ом, гарантированная выходная мощность 12W на 4 Ом нагрузки и...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор GT60N321 (Q) (60A, 1000V)
Транзисторы IGBT

Транзистор GT60N321 (Q) (60A, 1000V)

268392
32,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 170 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода (Tj): 150
View
Транзистор GT50J325 2-21f2c
Транзисторы IGBT

Транзистор GT50J325 2-21f2c

266548
26,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 240 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 Максимальная температура перехода (Tj): 150
View
Транзистор GT60M301
Транзисторы IGBT

Транзистор GT60M301

268390
41,36 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.4V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 15V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 400
View
Транзистор SKW30N60HS
Транзисторы IGBT

Транзистор SKW30N60HS

305004
35,60 BYN
Маркировка: K30N60HS Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.8 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 41 Максимальная температура перехода...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Микросхема TDA2030 ( К174УН19)
Микросхемы импортные

Микросхема TDA2030 ( К174УН19)

260366
3,08 BYN
является монолитной интегральной схемой, выпускается в Pentawatt корпусе. Предназначена для использования в качестве усилителя низкой частоты класса AB. Как правило, она обеспечивает 14W выходной мощности (d = 0.5%) при 14V (двухполярном) или 28V (однополярном) напряжении питания и нагрузкой в 4 Ом, гарантированная выходная мощность 12W на 4 Ом нагрузки и...
View
Транзистор FQPF18N20
Полевые транзисторы

Транзистор FQPF18N20

277832
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 21.1 ns Выходная емкость (Cd): 81.2...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.