Транзистор STGP10NC60KD

Транзистор STGP10NC60KD

Артикул: 302435

Транзистор IGBT

21,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Номинальное Напряжение (DC)
600 V
Номинальный Ток
20.0 A
Количество Стежков
3
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
60 W
Время Нарастания
6.00 ns
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)
600 V
Обратное время восстановления
22 ns
Максимальная входная мощность
65 W
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
60000 mW
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-220-3
размеры
Длина
10.4 mm
Ширина
4.6 mm
Высота
9.15 mm
Корпус/Пакет
TO-220-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
302435

В этой категории 16 товаров:

Транзистор K30N60HS
Транзисторы IGBT

Транзистор K30N60HS

305005
55,00 BYN
Маркировка: K30N60HS Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.8 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 41 Максимальная температура перехода...
Транзистор IRG4BC40U to-220ab
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4BC40U to-220ab

266557
14,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20A Максимальная температура перехода (Tj): 150
Транзистор IHW30N120R2 (30R1202) to247
Транзисторы IGBT

Транзистор IHW30N120R2 (30R1202) to247

293257
24,00 BYN
Наименование: IHW30N120R2 Маркировка: H30R1202 Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.0V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60A Корпус: TO247
Транзистор SGB10N60A d2pak (to263)
Транзисторы IGBT

Транзистор SGB10N60A d2pak (to263)

293379
10,00 BYN
Наименование: SGB10N60A Маркировка: G10N60A Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 92W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.3V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20A Корпус: D2PAK(TO263)
Транзистор FMH16N50E to3p
Транзисторы IGBT

Транзистор FMH16N50E to3p

293119
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 195 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 16 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор GW19NC60WD to247
Транзисторы IGBT

Транзистор GW19NC60WD to247

293147
28,80 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12A
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.