Транзистор STGD18N40LZT4 to-252 (d-pak)

Транзистор STGD18N40LZT4 to-252 (d-pak)

Артикул: 266420

IGBT транзистор, 400V, 25A

17,00 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
  IGBT 390V,25A,125W_N-Channel_internally CLAMPED IGBT  
266420
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема 520КТ1Г Ni КТ-1-1
Микросхемы отечественные

Микросхема 520КТ1Г Ni КТ-1-1

300048
5,00 BYN
Микросхема 520КТ1Г представляет собой коммутатор электрических цепей постоянного  и импульсирующего тока с минимальным  входным током 0.5 мА.Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Тип корпуса: КТ-1-Т.Категория качества: «ВП».Технические условия:  - приемка «5» ТТ0.343.005ТУ.Параметры микросхемы нормируются в...
Микросхема КР159НТ1Б DIP8
Микросхемы отечественные

Микросхема КР159НТ1Б DIP8

299547
18,52 BYN
Микросхемы 159НТ1Б  представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в круглом металлостеклянном корпусе с выводами для монтажа на печатную плату.Маркировка нанесена цифро-буквенным...
Микросхема 537РУ9А Au 4131.24-3
Микросхемы отечественные

Микросхема 537РУ9А Au 4131.24-3

300325
39,00 BYN
Статическое ОЗУ на основе КМОП-структур.Микросхемы 537РУ9А представляют собой статическое оперативное запоминающее устройство емкостью 16 384 бит (2к х 8).Предназначены для работы в узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.Маркировка микросхемы и схема соединения...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 20N120 (WH20R1203,IHW20N120R2,IXGH20N120A3)...
Транзисторы IGBT

Транзистор 20N120 (WH20R1203,IHW20N120R2,IXGH20N120A3) to-247

265403
16,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 780 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор GT50N322(A) to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор GT50N322(A) to-220

266547
17,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 156 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.2 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор GW19NC60WD to247
Транзисторы IGBT

Транзистор GW19NC60WD to247

293147
28,80 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12A
Транзистор 2SC5331
Транзисторы IGBT

Транзистор 2SC5331

295048
21,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.