Транзистор STP16N65M5

Транзистор STP16N65M5

Артикул: 275913

MDmesh V, N-канал, 650В, 12А, 0.230 Ом

18,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275913
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема 217ЛБ3 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 217ЛБ3 Ni

299783
1,20 BYN
Микросхема 217ЛБ3 представляет собой логический элемент 6И-НЕ с повышенным коэффициентом разветвления.Изготовлены по ДТЛ (диодно-транзисторная логика) технологии и предназначены для применения в электронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в 13-выводном прямоугольном металлостеклянном корпусе с вертикальным расположением выводов для монтажа...
View
Транзистор GW19NC60WD to247
Транзисторы IGBT

Транзистор GW19NC60WD to247

293147
28,80 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12A
View
Микросхема 133ЛА4 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 133ЛА4 Ni

299348
2,80 BYN
Микросхема интегральная полупроводниковая (транзисторно-транзисторная логика). Представляет собой три логических элемента «3И-НЕ». Предназначена для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Зарубежный прототип • Прототип SN5410 Обозначение технических условий • И6/И63.088.023 ТУ7 Диапазон температур • диапазон рабочих...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор GW50NB60M
Транзисторы IGBT

Транзистор GW50NB60M

268387
45,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 190W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.8V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Транзистор IRG4PF50WD (IGBT 51A, 900В) to-247ac
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4PF50WD (IGBT 51A, 900В) to-247ac

266423
24,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 28A Максимальная температура перехода (Tj): 175
View
Транзистор GT50N322(A) to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор GT50N322(A) to-220

266547
17,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 156 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.2 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Транзистор GT30J122 to3p
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30J122 to3p

293142
47,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 Максимальная температура перехода (Tj): 150
View
Транзистор STGB20NB37LZ
Транзисторы IGBT

Транзистор STGB20NB37LZ

266702
18,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 430V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.