Транзистор RJP43F4A DPP

Транзистор RJP43F4A DPP

Артикул: 266699

Power IGBT, 430V, 40A, TO-220FP

9,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

IGBT 430V,40A_IGBT for Plasma TV

266699
Новый товар

В этой категории 16 товаров:

Транзистор STGW30V60DF
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW30V60DF

294936
36,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 260 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.15 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
View
Транзистор STGW30NC60KD
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW30NC60KD

305007
41,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 Тип корпуса: TO247
View
Транзистор GT60M301
Транзисторы IGBT

Транзистор GT60M301

268390
41,36 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.4V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 15V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 400
View
Транзистор H40RF60 ( IHW40N60RF )
Транзисторы IGBT

Транзистор H40RF60 ( IHW40N60RF )

289729
25,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 305W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.85V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A Корпус: TO247
View
Транзистор IRF635
Транзисторы IGBT

Транзистор IRF635

270162
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.5 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.68 OhmТип корпуса: TO220
View
Транзистор GW45HF60WD to247
Транзисторы IGBT

Транзистор GW45HF60WD to247

293149
41,20 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.65V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30A
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.