Транзистор G30N60A4 (HGTG30N60A4) to-247ac

Транзистор G30N60A4 (HGTG30N60A4) to-247ac

Артикул: 266417

 (IGBT 63A, 600V)

20,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

IGBT 600V,75A,463W

266417
Новый товар

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SD2499
Транзисторы IGBT

Транзистор 2SD2499

295046
5,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Встроенный резистор цепи смещения R2 = 0.04 kOhm Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора...
Транзистор H40RF60 ( IHW40N60RF )
Транзисторы IGBT

Транзистор H40RF60 ( IHW40N60RF )

289729
25,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 305W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.85V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A Корпус: TO247
Транзистор GT30J124 to-220f
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30J124 to-220f

266421
9,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.4 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
Транзистор STGW38IH130D
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW38IH130D

266694
20,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1300V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20A

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ814Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ814Б

259507
0,80 BYN
Транзисторы КТ814Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.