Транзистор G30N60A4 (HGTG30N60A4) to-247ac

Транзистор G30N60A4 (HGTG30N60A4) to-247ac

Артикул: 266417

 (IGBT 63A, 600V)

20,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

IGBT 600V,75A,463W

266417
Новый товар

Просмотренные товары

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ814Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ814Б

259507
0,88 BYN
Транзисторы КТ814Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор K30N60HS
Транзисторы IGBT

Транзистор K30N60HS

305005
55,00 BYN
Маркировка: K30N60HS Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.8 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 41 Максимальная температура перехода...
View
Транзистор GT40WR21
Транзисторы IGBT

Транзистор GT40WR21

282633
33,60 BYN
Максимальная рабочая температура 175 °C Длина 15.5мм Transistor Configuration Одинарный Производитель Toshiba Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1800 В Максимальный непрерывный ток коллектора 40 A Тип корпуса TO-3P Максимальное рассеяние мощности 375 W Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия Ширина 4.5мм Высота 20мм...
View
Транзистор 2SD1556
Транзисторы IGBT

Транзистор 2SD1556

295047
12,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор IRG4BC30UD (IGBT 23A, 600В) to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4BC30UD (IGBT 23A, 600В) to-220

266556
10,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12A Максимальная температура перехода (Tj): 150
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.