Транзистор STGF10NC60KD

Транзистор STGF10NC60KD

Артикул: 302436

Транзистор IGBT

15,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Номинальное Напряжение (DC)
600 V
Номинальный Ток
9.00 A
Количество Стежков
3
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
25 W
Время Нарастания
6 ns
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)
600 V
Обратное время восстановления
22 ns
Максимальная входная мощность
25 W
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
25 W
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-220-3
размеры
Длина
10.4 mm
Ширина
4.6 mm
Высота
16.4 mm
Корпус/Пакет
TO-220-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
302436

В этой категории 16 товаров:

Транзистор K30N60HS
Транзисторы IGBT

Транзистор K30N60HS

305005
55,00 BYN
Маркировка: K30N60HS Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.8 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 41 Максимальная температура перехода...
Транзистор SPA15N60C3
Транзисторы IGBT

Транзистор SPA15N60C3

275904
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 AСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm
Транзистор SGH80N60UFD
Транзисторы IGBT

Транзистор SGH80N60UFD

294996
35,20 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 70 Корпус: TO3P
Транзистор STGD3NB60SDT4
Транзисторы IGBT

Транзистор STGD3NB60SDT4

305018
16,20 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 48 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.1 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 Тип корпуса: DPAK
Транзистор IRG4PC50UD
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4PC50UD

294955
31,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 27 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Корпус: TO247AC
Транзистор IRG4PC40W to-247
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4PC40W to-247

266530
14,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20A Максимальная температура перехода (Tj): 175
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.