Транзистор GT50T121

Транзистор GT50T121

Артикул: 276363

2-21F1A

29,36 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276363
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор FDS6680 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6680 so8

293111
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор GTP14N36G3VL
Транзисторы IGBT

Транзистор GTP14N36G3VL

293146
14,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.45V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 10V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Транзистор IHW30N120R2 (30R1202) to247
Транзисторы IGBT

Транзистор IHW30N120R2 (30R1202) to247

293257
24,00 BYN
Наименование: IHW30N120R2 Маркировка: H30R1202 Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.0V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60A Корпус: TO247
View
Транзистор FD15P05
Транзисторы IGBT

Транзистор FD15P05

275908
7,00 BYN
Полярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сток-исток открытого транзистора...
View
Транзистор STGW30NC60KD
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW30NC60KD

305007
41,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 Тип корпуса: TO247
View
Транзистор IRG4PSH71UD
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4PSH71UD

268394
72,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 350W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.70V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 99A
View
Транзистор GT30J322 (Q) (30A, 600V) 2-16f1a
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30J322 (Q) (30A, 600V) 2-16f1a

266552
22,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 15V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 400
View
Транзистор RJH30E2
Транзисторы IGBT

Транзистор RJH30E2

266705
6,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.7 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 35 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.