Транзистор IRG4BC40W

Транзистор IRG4BC40W

Артикул: 303454
17,76 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

технические

Номинальное Напряжение (DC)600 V

Номинальный Ток40.0 A

Рассеяние Мощности160 W

Серия ДеталейIRG4BC40W

Входная Ёмкость1.90 nF

Время Нарастания22.0 ns

пакет

Стиль МонтажаThrough Hole

Корпус/ПакетTO-220

размеры

Корпус/ПакетTO-220

303454

Просмотренные товары

Транзистор 2Т908А
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т908А

300836
13,60 BYN
Транзисторы 2Т908А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных модуляторах.Корпус металлический с стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса транзистора без накидного фланца не более 22 г.Масса накидного фланца не более 12 г.Тип корпуса:...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор GW19NC60WD to247
Транзисторы IGBT

Транзистор GW19NC60WD to247

293147
28,80 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12A
Транзистор RJH60F5
Транзисторы IGBT

Транзистор RJH60F5

266693
24,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 260.4 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.37V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор SGH30N60RUFD
Транзисторы IGBT

Транзистор SGH30N60RUFD

305006
48,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 80 Тип корпуса: TO3P
Транзистор SPA15N60C3
Транзисторы IGBT

Транзистор SPA15N60C3

275904
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 AСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.