Транзистор RJP56F4A to220f

Транзистор RJP56F4A to220f

Артикул: 293363

 IGBT High Speed Power Switching, 300V, 180A, TO-220FP

25,60 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293363

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IKW75N60T (K75T60) to247
Транзисторы IGBT

Транзистор IKW75N60T (K75T60) to247

293259
49,20 BYN
Наименование: IKW75N60T Маркировка: K75T60 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 428W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A Корпус: TO247
Транзистор SGB10N60A d2pak (to263)
Транзисторы IGBT

Транзистор SGB10N60A d2pak (to263)

293379
10,00 BYN
Наименование: SGB10N60A Маркировка: G10N60A Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 92W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.3V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20A Корпус: D2PAK(TO263)
Транзистор GT40RR21 to3
Транзисторы IGBT

Транзистор GT40RR21 to3

293143
26,80 BYN
Маркировка: 40RR21 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 230 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1350 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.05 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 Максимальная температура перехода...
Транзистор SGB07N120 d2pak (to263)
Транзисторы IGBT

Транзистор SGB07N120 d2pak (to263)

293378
25,60 BYN
Наименование: SGB07N120 Маркировка: GB07N120 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.7V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16.5A Корпус: D2PAK(TO263)
Транзистор H30R1203 ( 30N120R3 )
Транзисторы IGBT

Транзистор H30R1203 ( 30N120R3 )

289728
17,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 349 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.55 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Емкость...
Транзистор H40RF60 ( IHW40N60RF )
Транзисторы IGBT

Транзистор H40RF60 ( IHW40N60RF )

289729
25,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 305W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.85V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A Корпус: TO247
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.