Транзистор H15R1203 ( 20N120R3 )

Транзистор H15R1203 ( 20N120R3 )

Артикул: 276365

1200V 40A 310W

15,16 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276365
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор IRF641
Полевые транзисторы

Транзистор IRF641

276386
4,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm Тип корпуса: TO220
Транзистор 2SK3316
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3316

304852
31,20 BYN
Маркировка: K3316 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRGPS60B120KDP
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGPS60B120KDP

268396
100,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 595W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.75V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 120A
Транзистор GT45G128 to220f
Транзисторы IGBT

Транзистор GT45G128 to220f

293144
23,20 BYN
Наименование: GT45G128 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 430 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.55 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
Транзистор IRGR3B60KD2 PBF
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGR3B60KD2 PBF

305017
7,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 52 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.4 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.8
Транзистор IXGH30N60A
Транзисторы IGBT

Транзистор IXGH30N60A

305001
20,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.