Транзистор SGB10N60A d2pak (to263)

Транзистор SGB10N60A d2pak (to263)

Артикул: 293379

Наименование: SGB10N60A

Маркировка: G10N60A

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 92W

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.3V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20A

Корпус: D2PAK(TO263)

10,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293379

Просмотренные товары

Транзистор GW20N60HS to247
Транзисторы IGBT

Транзистор GW20N60HS to247

293148
32,80 BYN
Маркировка: G20N60HS Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 178W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.5V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 36A
View
Микросхема 1505ЛБ2Б Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 1505ЛБ2Б Au

299629
8,60 BYN
представляет собой 2х4И-НЕ/4ИЛИ-НЕ и инвертор.Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в прямоугольном металлокерамическом корпусе для монтажа на печатную плату.Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.Тип корпуса: 402.16-33.Категория качества: ВП, ОСМ.Технические условия:  -...
View
Микросхема 556РТ5 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 556РТ5 Ni

300213
4,80 BYN
интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ) микросхемы интегральные используются в РЭА в большой области применения с функционалом программируемое постоянное запоминающее устройство емкостью 4096бит (512х8) с открытым коллектором. Микросхемы выполнены в металлокерамическом корпусе 4118.24-1 с гибкими выводами. Тип прибора...
View
Микросхема 106ЛР2 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 106ЛР2 Ni

299270
3,80 BYN
представляют собой логический элемент 4-4И-2ИЛИ-НЕ с возможностью расширения по ИЛИ.Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре и оборудовании специального назначения.Выпускаются в прямоугольном металлостеклянном корпусе с двусторонним расположением выводов.Маркировка микросхем и схема соединения электродов с выводами указывается на...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор GW60V60DF
Транзисторы IGBT

Транзистор GW60V60DF

268386
21,00 BYN
Маркировка: GW60V60DF Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 375 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.15 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода...
View
Транзистор STGW30V60DF
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW30V60DF

294936
36,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 260 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.15 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.