Транзистор SGB07N120 d2pak (to263)

Транзистор SGB07N120 d2pak (to263)

Артикул: 293378

Наименование: SGB07N120

Маркировка: GB07N120

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125W

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.7V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16.5A

Корпус: D2PAK(TO263)

25,60 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293378

Просмотренные товары

Микросхема 564ИП5 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ИП5 Ni

300250
2,60 BYN
Цифровая микросхема серии КМОП.Микросхемы 564ИП5 представляют собой универсальный двухразрядный умножитель.Предназначена для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами для монтажа на печатную плату.Маркировка микросхемы и схема соединения электродов с выводами указывается...
View
Микросхема 564ЛН2В Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ЛН2В Au

300336
13,00 BYN
— цифровая микросхема 564-ой серии, являются транзисторной логикой с функционалом шесть логических элементов НЕ и используются в РЭА большой области эксплуатации. Производятся в керамометаллическом корпусе. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при эксплуатации от минус 60 до плюс 125oC. Климатически...
View
Гироскоп-акселерометр MPU-6050 со встроенным...
Датчики

Гироскоп-акселерометр MPU-6050 со встроенным микроконтроллером

306768
32,64 BYN
Гироскоп-акселерометр трех-координатный на базе чипа MPU-6050 со встроенным микроконтроллером STM32.  Встроенный микроконтроллер получает данные с MPU-6050, обрабатывает их согласно командам собственной программы (фильтрация Калмана, комплиментарный фильтр и другие) и отправляет по асинхронному протоколу информацию, которая содержит данные о курсе, крене...
View
Микросхемы 1526ИР9 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхемы 1526ИР9 Ni

299742
6,40 BYN
4-х разрядный последовательно-параллельный регистр Технология – КМОП Технические условия исполнения АЕЯР.431200.126-02ТУ, АЕЯР.431200.127-06ТУ. Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Краткие основные характеристики: Номинальный диапазон напряжений питания от 4,5В до 11В. Номинальный диапазон рабочих температур...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор G40N150D
Транзисторы IGBT

Транзистор G40N150D

268385
40,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1500V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.7V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 180
View
Транзистор GT30J322 (Q) (30A, 600V) 2-16f1a
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30J322 (Q) (30A, 600V) 2-16f1a

266552
22,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 15V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 400
View
Транзистор RJH60F5
Транзисторы IGBT

Транзистор RJH60F5

266693
24,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 260.4 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.37V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Транзистор GT50N322(A) to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор GT50N322(A) to-220

266547
17,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 156 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.2 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Транзистор FGA40N65SMD orig.
Транзисторы IGBT

Транзистор FGA40N65SMD orig.

282637
23,52 BYN
Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 349 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 12 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 92...
View
Транзистор GT30J122A
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30J122A

305013
14,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 Максимальная температура перехода (Tj): 150
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.