Транзистор GT40RR21 to3

Транзистор GT40RR21 to3

Артикул: 293143

Маркировка: 40RR21

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 230

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1350

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.05

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40

Максимальная температура перехода (Tj): 175

Время нарастания: 120

26,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293143

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRG4PC50U (IGBT 55A, 600В) to-247ac
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4PC50U (IGBT 55A, 600В) to-247ac

266422
22,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 27A Максимальная температура перехода (Tj): 175
Транзистор IRGS14C40LPbf (GS14C40) to-263-3
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGS14C40LPbf (GS14C40) to-263-3

265887
20,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.55V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14A Максимальная температура перехода (Tj): 150
Транзистор IRG4BC40U to-220ab
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4BC40U to-220ab

266557
14,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20A Максимальная температура перехода (Tj): 150
Транзистор SGL160N60UFD to264
Транзисторы IGBT

Транзистор SGL160N60UFD to264

293380
57,20 BYN
Наименование: SGL160N60UFD Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 100 Корпус: TO264
Транзистор IRG7S313U
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG7S313U

278009
8,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 78W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.45V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A
Транзистор GT40WR21
Транзисторы IGBT

Транзистор GT40WR21

282633
33,60 BYN
Максимальная рабочая температура 175 °C Длина 15.5мм Transistor Configuration Одинарный Производитель Toshiba Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1800 В Максимальный непрерывный ток коллектора 40 A Тип корпуса TO-3P Максимальное рассеяние мощности 375 W Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия Ширина 4.5мм Высота 20мм...
Транзистор 25N15L (SUD25N15-52) to-252 (d-pak)
Транзисторы IGBT

Транзистор 25N15L (SUD25N15-52) to-252 (d-pak)

266418
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 72 nC Время нарастания (tr): 3...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.