Транзистор RJP6065DPN to220f

Транзистор RJP6065DPN to220f

Артикул: 293364

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 630V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A

Время нарастания: 450

Корпус: TO3PFM

33,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293364

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRGPS40B120UD
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGPS40B120UD

268395
33,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 595W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.50V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A
Транзистор IRG4BC30UD (IGBT 23A, 600В) to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4BC30UD (IGBT 23A, 600В) to-220

266556
10,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12A Максимальная температура перехода (Tj): 150
Транзистор GT60M301
Транзисторы IGBT

Транзистор GT60M301

268390
41,36 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.4V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 15V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 400
Транзистор H40RF60 ( IHW40N60RF )
Транзисторы IGBT

Транзистор H40RF60 ( IHW40N60RF )

289729
25,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 305W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.85V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A Корпус: TO247
Транзистор 2SD2499
Транзисторы IGBT

Транзистор 2SD2499

295046
5,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Встроенный резистор цепи смещения R2 = 0.04 kOhm Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора...
Транзистор 2SC5331
Транзисторы IGBT

Транзистор 2SC5331

295048
21,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор IHW30N120R2 (30R1202) to247
Транзисторы IGBT

Транзистор IHW30N120R2 (30R1202) to247

293257
24,00 BYN
Наименование: IHW30N120R2 Маркировка: H30R1202 Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.0V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60A Корпус: TO247
Транзистор STGW38IH130D
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW38IH130D

266694
20,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1300V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20A
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.