Транзистор H30R1203 ( 30N120R3 )

Транзистор H30R1203 ( 30N120R3 )

Артикул: 289728

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 349

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.55

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60

Максимальная температура перехода (Tj): 175

Емкость коллектора (Cc), pf: 68

Корпус: TO247

17,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
289728

Просмотренные товары

Транзистор 10P20
Полевые транзисторы

Транзистор 10P20

289826
20,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 85 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 73 ns Выходная емкость (Cd): 590 pf...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ814Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ814Г

259509
1,32 BYN
Транзисторы КТ814Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
Транзистор КТ818Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ818Г

259516
3,52 BYN
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IKW50N60H3(K50H603) to-247
Транзисторы IGBT

Транзистор IKW50N60H3(K50H603) to-247

266561
22,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 333W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.85V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100A
Транзистор G60N100BNTD 2-21f2c
Транзисторы IGBT

Транзистор G60N100BNTD 2-21f2c

266555
27,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.9 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор STGW39NC60VD
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW39NC60VD

282563
17,00 BYN
ехнология/семейство powermesh Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А 220 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 250 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 33 Время задержки выключения...
Транзистор GT30J322 (Q) (30A, 600V) 2-16f1a
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30J322 (Q) (30A, 600V) 2-16f1a

266552
22,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 15V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 400
Транзистор IXGH60N60
Транзисторы IGBT

Транзистор IXGH60N60

268656
30,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 75A Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
Транзистор FGA40N65SMD orig.
Транзисторы IGBT

Транзистор FGA40N65SMD orig.

282637
23,52 BYN
Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 349 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 12 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 92...
Транзистор GW60V60DF
Транзисторы IGBT

Транзистор GW60V60DF

268386
21,00 BYN
Маркировка: GW60V60DF Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 375 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.15 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Модуль MP3 Bluetooth (XY-BT-MINI HW-770)
Каталог

Модуль MP3 Bluetooth (XY-BT-MINI HW-770)

313888
18,00 BYN
Характеристики:Питание: от 3.7 до 5В;Выход источник звука: стерео;Звуковой выход: Jack 3,5 мм;Bluetooth: V5.0;Поддержка: WAV / WMA / FLAC / APE / MP3;Расстояние: до 15 м;Поддержка профиля: A2DP / AVCTP / AVDTP / AVRCP FP;SNR: 90 дБ;THD + N: -70 дБ;Перекрестные помехи: -86 дБ;ДНР: 91 дБ;
Транзистор КТ814Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ814Г

259509
1,32 BYN
Транзисторы КТ814Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
Транзистор КТ818Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ818Г

259516
3,52 BYN
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.