Транзистор H30R1203 ( 30N120R3 )

Транзистор H30R1203 ( 30N120R3 )

Артикул: 289728

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 349

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.55

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60

Максимальная температура перехода (Tj): 175

Емкость коллектора (Cc), pf: 68

Корпус: TO247

17,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
289728

Просмотренные товары

Микросхема 564ИЕ14 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ИЕ14 Ni

300229
3,80 BYN
цифровая микросхема 564-ой серии, являются транзисторной логикой с функционалом четырехразрядный двоичный счетчик и используются в РЭА большой области эксплуатации. Производятся в керамометаллическом корпусе. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при эксплуатации от минус 60 до плюс 125oC. Климатически...
View
Микросхема 564ТВ1 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ТВ1 Ni

300463
3,20 BYN
Цифровая микросхема серии КМОП.Микросхемы 564ТВ1 представляют собой два JK-триггера с асинхронными RS-входами и динамическим управлением записи.Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами для монтажа на печатную плату.Маркировка микросхем и схема...
View
Микросхема 273ХА1 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 273ХА1 Ni

299937
37,80 BYN
Микросхема 273ХА1 - микроминиатюрное электронное устройство, все или часть элементов которого нераздельно связаны конструктивно и соединены между собой электрически.По своему функциональному назначению интегральные микросхемы делятся на две основные группы: аналоговые, или линейно-импульсные, и логические, или цифровые, микросхемы. Аналоговые микросхемы...
View
Микросхема 134ТВ14 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 134ТВ14 Au

299414
9,20 BYN
134ТВ14 — цифровая микросхема технологии ТТЛ 134-ей серии, являются транзисторно матлогикой с функционалом двойной JK триггери и используются в РЭА в большой области эксплуатации. Микросхемы изготовлены в керамометаллическом корпусе и выпускаются в корпусе 401.14-1. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ814Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ814Г

259509
1,45 BYN
Транзисторы КТ814Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2PG011
Транзисторы IGBT

Транзистор 2PG011

302843
8,60 BYN
Тип управляющего канала: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 540 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.95 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания:...
View
Транзистор G30N60HS (SGW30N60HS,HGTG30N60HS) to-247
Транзисторы IGBT

Транзистор G30N60HS (SGW30N60HS,HGTG30N60HS) to-247

266562
11,00 BYN
ип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.5V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 41A
View
Транзистор FGA40N65SMD orig.
Транзисторы IGBT

Транзистор FGA40N65SMD orig.

282637
23,52 BYN
Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 349 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 12 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 92...
View
Транзистор GT40T301
Транзисторы IGBT

Транзистор GT40T301

268389
47,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1500V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 5V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 15V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 400
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ818Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ818Г

259516
3,87 BYN
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.