Транзистор FGH60N60SMD

Транзистор FGH60N60SMD

Артикул: 278762

IGBT 600V,60A Field Stop IGBT_с диодом_with diode

40,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
278762

Просмотренные товары

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор 13N10 (FQP13N10) to-220
Полевые транзисторы

Транзистор 13N10 (FQP13N10) to-220

265398
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12.8 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRGB20B60PD1 to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGB20B60PD1 to-220

266565
25,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 215W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.35V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A
Транзистор GT30J124 to-220f
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30J124 to-220f

266421
9,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.4 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
Транзистор IKW75N60T (K75T60) to247
Транзисторы IGBT

Транзистор IKW75N60T (K75T60) to247

293259
49,20 BYN
Наименование: IKW75N60T Маркировка: K75T60 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 428W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A Корпус: TO247
Транзистор GT45G128 to220f
Транзисторы IGBT

Транзистор GT45G128 to220f

293144
23,20 BYN
Наименование: GT45G128 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 430 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.55 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
Транзистор GT30J122A
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30J122A

305013
14,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 Максимальная температура перехода (Tj): 150

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор 13N10 (FQP13N10) to-220
Полевые транзисторы

Транзистор 13N10 (FQP13N10) to-220

265398
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12.8 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.