Транзистор RJH60F5

Транзистор RJH60F5

Артикул: 266693

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 260.4

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.37V

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 35

Емкость коллектора (Cc), pf: 122

24,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

IGBT 600V,40A,Tr=85nS, Rg=5 Om_с диодом_with diode

266693
Новый товар

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор AP4511GH
Полевые транзисторы

Транзистор AP4511GH

276199
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 10.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 35 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15(12) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRG4PC50UD
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4PC50UD

294955
31,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 27 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Корпус: TO247AC
Транзистор IRGPS40B120UD
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGPS40B120UD

268395
33,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 595W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.50V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A
Транзистор G20N60B3D
Транзисторы IGBT

Транзистор G20N60B3D

293129
38,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 165W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор IRG4PF50WD (IGBT 51A, 900В) to-247ac
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4PF50WD (IGBT 51A, 900В) to-247ac

266423
24,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 28A Максимальная температура перехода (Tj): 175
Транзистор 20N120 (WH20R1203,IHW20N120R2,IXGH20N120A3)...
Транзисторы IGBT

Транзистор 20N120 (WH20R1203,IHW20N120R2,IXGH20N120A3) to-247

265403
16,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 780 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор AP4511GH
Полевые транзисторы

Транзистор AP4511GH

276199
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 10.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 35 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15(12) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.