Транзистор GT45F128

Транзистор GT45F128

Артикул: 275680

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.45

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)

13,00 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275680
Новый товар

Просмотренные товары

Симистор ТС112-10-6-4
Симисторы отечественные

Симистор ТС112-10-6-4

302920
4,52 BYN
Тиристор симметричный низкочастотный штыревого исполнения.Предназначен для работы в преобразовательных устройствах, а также в цепях постоянного и переменного тока различных силовых установок.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жестким выводом.Максимально допустимый действующий ток - 10 АПовторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и...
Транзистор 2Т980Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т980Б Au

300934
256,36 BYN
Транзисторы 2Т980Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные.Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности: 2Т980А, КТ980А в диапазоне частот 1,5...30 МГц, 2Т980Б, КТ980Б в диапазоне частот 30...80 МГц при напряжении питания 50 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Тип прибора...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор GT45G128 to220f
Транзисторы IGBT

Транзистор GT45G128 to220f

293144
23,20 BYN
Наименование: GT45G128 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 430 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.55 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
Транзистор SGB07N120 d2pak (to263)
Транзисторы IGBT

Транзистор SGB07N120 d2pak (to263)

293378
25,60 BYN
Наименование: SGB07N120 Маркировка: GB07N120 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.7V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16.5A Корпус: D2PAK(TO263)
Транзистор G30N60HS (SGW30N60HS,HGTG30N60HS) to-247
Транзисторы IGBT

Транзистор G30N60HS (SGW30N60HS,HGTG30N60HS) to-247

266562
11,00 BYN
ип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.5V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 41A
Транзистор G60N100BNTD 2-21f2c
Транзисторы IGBT

Транзистор G60N100BNTD 2-21f2c

266555
27,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.9 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор K30N60HS
Транзисторы IGBT

Транзистор K30N60HS

305005
55,00 BYN
Маркировка: K30N60HS Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.8 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 41 Максимальная температура перехода...
Транзистор IRG7PH42UD to247
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG7PH42UD to247

293289
62,00 BYN
Наименование: IRG7PH42UD Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 320W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.00V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 85A Корпус: TO247
Транзистор PD55003
Транзисторы IGBT

Транзистор PD55003

302693
52,60 BYN
технические Частота500 MHz ПолярностьN-Channel Рассеяние Мощности31700 mW Пробивное Напряжение (Стока-исток)40.0 V Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)±20.0 V Непрерывный Ток Стока (Ids)2.50 A Выходная Мощность3 W Усиление17 dB Испытательный ток50 mA Входная емкость (Ciss)36pF @12.5V(Vds) Рабочая температура (Макс)165 ℃ Рабочая температура...
Транзистор IKW50N60H3(K50H603) to-247
Транзисторы IGBT

Транзистор IKW50N60H3(K50H603) to-247

266561
22,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 333W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.85V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100A
Транзистор GT50J325 2-21f2c
Транзисторы IGBT

Транзистор GT50J325 2-21f2c

266548
26,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 240 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 Максимальная температура перехода (Tj): 150
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.