Транзистор IXBH16N170A

Транзистор IXBH16N170A

Артикул: 275910

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1700V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 4.7V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16A

Время нарастания: 50

25,56 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275910
Новый товар

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRG4BC30UD (IGBT 23A, 600В) to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4BC30UD (IGBT 23A, 600В) to-220

266556
10,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12A Максимальная температура перехода (Tj): 150
View
Транзистор SPA15N60C3
Транзисторы IGBT

Транзистор SPA15N60C3

275904
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 AСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm
View
Транзистор 20N120 (WH20R1203,IHW20N120R2,IXGH20N120A3)...
Транзисторы IGBT

Транзистор 20N120 (WH20R1203,IHW20N120R2,IXGH20N120A3) to-247

265403
16,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 780 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор STGW39NC60VD
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW39NC60VD

282563
17,00 BYN
ехнология/семейство powermesh Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А 220 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 250 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 33 Время задержки выключения...
View
Транзистор IHW20N135R5 to247
Транзисторы IGBT

Транзистор IHW20N135R5 to247

293255
27,20 BYN
Наименование: IHW20N135R5 Маркировка: H20PR5 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 288 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1350 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.65 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.