Транзистор 13N10 (FQP13N10) to-220

Транзистор 13N10 (FQP13N10) to-220

Артикул: 265398

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12.8 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 12 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm

6,52 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
  N-Channel 100 V, 12.8 A,65W  
265398
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор КТ3132Е-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3132Е-2 Au

301269
2,20 BYN
кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума.Предназначены для применения в СВЧ маломощных усилителя диапазона частот 1...7,2 ГГц герметизированной аппаратуры.
Транзистор 2Т208Ж Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т208Ж Ni

300768
1,60 BYN
Транзисторы 2Т208Ж кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,6 г.Тип корпуса: КТ-1-7.Технические условия: ЮФ3.365.035 ТУ.
Транзистор 2Т203В Nb
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т203В Nb

300759
2,80 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Транзисторы 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,5 г.Тип корпуса: КТ-1-7.Технические...
Транзистор КП801Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КП801Г

301595
16,20 BYN
представляют собой первые отечественные транзисторы со статической индукцией. Разработаны в 1982—1983 гг. Предназначены для применения в выходных каскадах высококаче ственных усилителей мощности звуковой частоты. Kонструктивно транзистор выполнен таким образом, что работать эффективно он может только в полевом режиме. Диапазон рабочих температур: –60…+85°C.
Транзистор КТ8232А1
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8232А1

301100
7,00 BYN
Кремниевые мощные биполярные транзисторы Дарлингтона (n-p-n).КТ8232А-1 предназначены для применения в коммутационных схемах широкого и специального применения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 10 г.Тип корпуса: КТ-43 (ТО-218).
Трубка силиконовая ТКР 2,5 х 1,0 мм белая 1 м ( II - исп.)
Трубки силиконовые белые

Трубка силиконовая ТКР 2,5 х 1,0 мм белая 1 м ( II - исп.)

10059
6,00 BYN
Трубки ТКР 203 представляют собой гибкий и эластичный изоляционный материал из кремнийорганической резины (силикона), применяемый для выводных и монтажных проводов, кабелей в электрооборудовании и радиоаппаратуре, работающих при постоянном и переменном токе (при частоте тока до 500 Гц до 660 В исполнения 1 и до 1000 В исполнения 2). Размеры...

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор BU808DFX
Каталог

Транзистор BU808DFX

313914
30,00 BYN
Высоковольтный, силовой NPN составной транзистор (Дарлингтона) BU808DFX с высокой скоростью переключения. Применяется в выходном каскаде строчной развёртки цветных телевизоров. Основные параметры BU808DFX Структура: NPN. Максимально допустимый ток коллектора (I C): 8A. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V CEO): 700V. Статический коэффициент...
Транзистор AOD4185
Полевые транзисторы

Транзистор AOD4185

312581
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор SSH10N60A
Полевые транзисторы

Транзистор SSH10N60A

289745
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 193 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 74 nC Выходная емкость (Cd): 1750 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds):...
Транзистор FMA09N65GX
Полевые транзисторы

Транзистор FMA09N65GX

311919
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 167 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 ns Выходная емкость (Cd): 177 pf...
Транзистор IRF7322
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7322

276397
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 0.7 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор H200NF04L to220
Полевые транзисторы

Транзистор H200NF04L to220

293179
13,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 120 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор AO4604
Полевые транзисторы

Транзистор AO4604

276156
2,60 BYN
Маркировка: 4604 Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.9(5) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого...
Транзистор IRF9622
Полевые транзисторы

Транзистор IRF9622

276426
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.4 Ohm Тип корпуса: TO220AB

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.