Транзисторы импортные

Полевые транзисторы

Транзистор FCB11N60TM

Полевые транзисторы

Транзистор FCH067N65S3

311877

26,60 BYN

Полевые транзисторы

Транзистор FCPF20N60C3

295011

9,00 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Общий заряд затвора (Qg): 87 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm

Полевые транзисторы

Транзистор FCPF22N60

295010

21,20 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 22 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Транзисторы IGBT

Транзистор FD15P05

275908

7,00 BYN

Полярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сток-исток открытого транзистора...

Полевые транзисторы

Транзистор FDA59N25 to247

293097

25,20 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 392 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 59 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор FDA59N30

304941

25,80 BYN

Полевые транзисторы

Транзистор FDA69N25

304615

25,80 BYN

Полевые транзисторы

Транзистор FDB6670AL

276306

7,00 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор FDB8447L d2pak (to263)

293098

8,00 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор FDD2572 dpak (to252)

293099

6,00 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 135 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 29 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор FDD2582

276307

4,92 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 95 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 21 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор FDD4141

276308

3,00 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 69 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор FDD4243

293100

10,40 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор FDD5614P

265890

3,52 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор FDD6030

276309

3,60 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор FDD6035

276310

3,80 BYN

30V N-Channel PowerTrench® MOSFET

Полевые транзисторы

Транзистор FDD6035AL

303823

18,80 BYN

Полевые транзисторы

Транзистор FDD6512

276311

8,76 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 43 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...

Полевые транзисторы

Транзистор FDD6530

276312

4,20 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 33 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 21 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Сопротивление...

Полевые транзисторы

Транзистор FDD6530A

303824

12,80 BYN

Полевые транзисторы

Транзистор FDD6612A

295009

10,00 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор FDD6635

265796

3,00 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 55 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 35 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 59 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор FDD6637

265884

5,00 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 57 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 35 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 55 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Показано 3313-3336 из 5751