Транзистор КТ817Г

Транзистор КТ817Г

Артикул: 259514

Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,7 г.

1,45 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
259514
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор IRFR010
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR010

293282
5,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SK1102
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1102

304701
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 160 pf...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ816Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ816Г

259512
1,45 BYN
Транзисторы КТ816Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.
View
Транзистор КТ8182А аналог MJE13007
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8182А аналог MJE13007

301088
1,40 BYN
Транзисторы КТ8182А кремниевые структуры n-p-n переключательные.Предназначены для использования в качестве ключевых элементов в составе электронных пускорегулирующих аппаратов для газоразрядных ламп, электронных трансформаторов для галогенных ламп, а также сетевых источников вторичного электропитания.
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КТ829Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ829Г

301117
1,80 BYN
Транзисторы КТ829Г кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
View
Транзистор 2Т360Б-1
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т360Б-1

300981
1,20 BYN
Транзисторы 2Т360Б-1 - бескорпусные кремниевые планарно-эпитаксиальные р-п-р усилительные.Предназначены для использования в неремонтируемых гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры.
View
Транзистор КТ854Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ854Б

259799
1,76 BYN
Транзисторы КТ854Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.
View
Транзистор КТ203БМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ203БМ

301164
0,40 BYN
Транзисторы КТ203БМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Транзисторы маркируются цветным кодом.Боковая поверхность корпуса у всех транзисторов окрашивается...
View
Транзистор КТ503Е
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ503Е

301427
0,60 BYN
Транзисторы КТ503Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, средней мощности.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
View
Транзистор 2Т968А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т968А Au

300925
16,00 BYN
Транзисторы 2Т968А кремниевые планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в широкополосных линейных усилителях.Транзистор 2Т968А выпускается в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Транзистор 2Т968А-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с...
View
Транзистор КТ962В Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ962В Au

301265
38,80 BYN
Транзисторы СВЧ КТ962В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 400...1000 МГц в схеме с общей базой при напряжении питания 28 В.Используются для работы в стационарной и бортовой аппаратуре средств радиосвязи общего...
View
Транзистор МП101
Транзисторы отечественные

Транзистор МП101

301331
0,60 BYN
Транзисторы МП101 кремниевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным МП101, МП101Б и нормированным МП101А коэффициентами шума на частоте 1 кГц.Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.Масса...
View
Транзистор КТ503Г
Каталог

Транзистор КТ503Г

299914
1,00 BYN
Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 60 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 40 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150(350) мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.35 Вт Статический коэффициент...
View
Транзистор 2Т809А
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т809А

301056
15,00 BYN
Транзисторы 2Т809А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса транзистора без накладного фланца не более 22 г.Масса накидного фланца не более 12 г.Тип корпуса: КТЮ-3-20.Технические условия:...
View
Транзистор КТ3114Б-6
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3114Б-6

301204
2,20 BYN
Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи.Транзистор КТ3114Б-6 служит для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов.Применяется в различных областях приборостроения, радиоэлектронной промышленности, электротехнической...
View
Транзистор 2П303Е Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2П303Е Au

301633
4,80 BYN
Транзисторы 2П303Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением.
View
Транзистор 2Т958А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т958А Au

300890
32,00 BYN
Транзисторы 2Т958А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено.Тип...
View
Транзистор ГТ383Б-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор ГТ383Б-2 Au

301152
3,80 BYN
Транзисторы ГТ383Б германиевые планарные n-p-n СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 1 ГГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот.Выпускаются в керамическом негерметизированном корпусе с гибкими полосковыми выводами.На крышке корпуса со стороны вывода эмиттера наносится...
View
Транзистор КТ645Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ645Б

301476
0,40 BYN
Транзисторы КТ645Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высокочастотные.Предназначены для применения в высокочастотных генераторах и усилителях, в быстродействующих импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
View
Транзистор КТ653А Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ653А Ni

301479
3,20 BYN
Описание транзисторы биполярные отечественные Технические параметры Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В 130 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 130 Максимально допустимый ток к...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ8182А аналог MJE13007
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8182А аналог MJE13007

301088
1,40 BYN
Транзисторы КТ8182А кремниевые структуры n-p-n переключательные.Предназначены для использования в качестве ключевых элементов в составе электронных пускорегулирующих аппаратов для газоразрядных ламп, электронных трансформаторов для галогенных ламп, а также сетевых источников вторичного электропитания.
View
Транзистор КТ818Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ818Г

259516
3,87 BYN
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.