Транзистор КТ817Г

Транзистор КТ817Г

Артикул: 259514

Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,7 г.

1,32 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
259514
Новый товар

Просмотренные товары

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ819ГМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ819ГМ

259521
9,00 BYN
Транзисторы КТ819ГМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Транзисторы КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса транзистора не более 20 г.

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КТ368АМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ368АМ

301401
0,60 BYN
Транзисторы КТ368АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные.Предназначены для использования во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзистор 2Т652А-2
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т652А-2

301024
10,80 BYN
Транзистор 2Т652А-2 - кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n переключающий.Предназначен для применения в составе специальных гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры.Диапазон рабочих температур окружающей среды составляет от минус 60 до 125 °С.
Транзистор КТ8175А аналог MJE13003BP
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8175А аналог MJE13003BP

301083
0,60 BYN
Транзисторы биполярные переключательные КТ8175А предназначены для использования в качестве ключевых элементов в составе электронных пускорегулирующих аппаратов для газоразрядных ламп, электронных трансформаторов для галогенных ламп, а также сетевых источников вторичного электропитания.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются...
Транзистор КТС393Б-1
Транзисторы отечественные

Транзистор КТС393Б-1

301322
1,80 BYN
Транзисторные сборки, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторовна одном кристалле с раздельными выводами.Предназначены для применения в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителяхи других каскадах герметизированной аппаратуры, в которых требуется идентичность параметров двух...
Транзистор 2Т881Г Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т881Г Ni

300820
8,00 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилительных и переключательных устройствах.Транзисторы 2Т881А, 2Т881Б, 2Т881В, 2Т881Г выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Транзисторы 2Т881А-5, 2Т881Г-5 выпускаются в...
Транзистор КТ918Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ918Б Au

301233
3,80 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные: КТ918А, КТ918Б.Предназначены для применения при включении с общей базой в схемах усилителей мощности и генераторах на частотах от 1 до 3 ГГц при напряжении питания до 20 В герметизированной аппаратуры.Выпускаются в керамическом корпусе с частичной герметизацией с...
Тразистор КП307А Ni
Транзисторы отечественные

Тразистор КП307А Ni

301534
1,40 BYN
Транзисторы КП307А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.Транзисторы КП307Ж в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах...
Транзистор КТ4-23 4/15пФ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ4-23 4/15пФ

301411
0,40 BYN
КТ4-23 4/15 пф 200 ВКонденсаторы КТ4-23 керамические подстроечные.Выпускаются в конструктивном варианте для печатных схем с креплением пайкой за выводы.Предназначены для работы в цепях постоянного, переменного и импульсного токов.- Диапазон номинальных емкостей: 0,4...30 пф- Номинальное напряжение: 200 В- Допускаемьде отклонения емкости: 10%- Диапазон...
Транзистор 2Т913А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т913А Au

300848
30,00 BYN
Транзисторы 2Т913А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...1000 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.Тип прибора указывается на корпусе.Масса...
Транзистор 1Т403Г
Транзисторы отечественные

Транзистор 1Т403Г

300725
1,00 BYN
Транзисторы 1Т403Г германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 4...
Тразистор КП307Б1
Транзисторы отечественные

Тразистор КП307Б1

301536
0,40 BYN
Транзисторы КП307Б1 кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).Технические условия: аА0.336.046 ТУ.
Транзистор КТ361Д
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ361Д

301397
0,80 BYN
Транзисторы КТ361Д кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Масса транзистора не более 0,3 г.Тип корпуса: КТ-13.Климатическое...
Тразистор КП302ГМ Au
Транзисторы отечественные

Тразистор КП302ГМ Au

301532
12,00 BYN
Структура  N-FET  Максимальное напряжение сток-исток Uси,В  20  Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А  -  Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В  7  Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм  150  Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт  0.3  Крутизна характеристики S,мА/В  10  Корпус  -  Описание КП302ГМ -...
Транзистор КТ852В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ852В

301142
1,20 BYN
Транзисторы КТ852В кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры общего назначения.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).Масса транзистора не более 2,5 г.Климатическое...
Транзистор 2Т948А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т948А Au

300884
114,40 BYN
Транзисторы 2Т948А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 0,7...2,3 ГГц в схеме с общей базой.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 2 г.Тип...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ815Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ815Г

259511
1,60 BYN
Транзисторы КТ815Г кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
Транзистор BD139 orig.
Биполярные транзисторы

Транзистор BD139 orig.

275137
1,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор КТ818ГМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ818ГМ

259519
22,00 BYN
Транзисторы КТ818ГМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса транзистора не более 20 г.
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.