Транзистор КТ817Г

Транзистор КТ817Г

Артикул: 259514

Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,7 г.

1,45 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
259514
Новый товар

Просмотренные товары

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ816Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ816Г

259512
1,45 BYN
Транзисторы КТ816Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.
View
Транзистор КТ815Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ815Г

259511
1,76 BYN
Транзисторы КТ815Г кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
View
Транзистор КТ818Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ818Г

259516
3,87 BYN
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2Т842Б
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т842Б

300793
3,20 BYN
Транзисторы 2Т842А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.Транзисторы 2Т842А, 2Т842Б выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Транзистор 2Т842А1, 2Т842Б1 выпускается в пластмассовом корпусе с...
View
Транзистор 2Т881Г Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т881Г Ni

300820
8,00 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилительных и переключательных устройствах.Транзисторы 2Т881А, 2Т881Б, 2Т881В, 2Т881Г выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Транзисторы 2Т881А-5, 2Т881Г-5 выпускаются в...
View
Транзистор 1Т905А ОС
Транзисторы отечественные

Транзистор 1Т905А ОС

300733
2,80 BYN
Транзисторы 1Т905А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в переключающих и импульсных усилительных устройствах, в выходных каскадах усилителей мощности низкой частоты.Выпускаются в металлическом со стеклянными изоляторами 1Т905А и металлопластмассовом ГТ905А, ГТ905Б корпусах с жесткими выводами.Тип...
View
Транзистор КП307Е Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор КП307Е Ni

301537
1,20 BYN
Транзисторы КП307Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.Транзисторы КП307Ж в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах...
View
Транзистор КТ645Д
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ645Д

301477
0,40 BYN
Транзисторы КТ645Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в высокочастотных генераторах и усилителях,в быстродействующих импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается в этикетке.Масса транзистора не более 0,3 г.
View
Транзистор КТ361Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ361Б

259445
0,88 BYN
Транзисторы КТ361Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается в этикетке.Масса транзистора не более 0,3 г.
View
Транзистор 2Т867А
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т867А

300808
23,80 BYN
Транзистор 2Т867А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный.Предназначен для применения в переключающих устройствах, во вторичных источниках электропитания.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 20 г.Тип корпуса: КТ-9...
View
Транзистор 2Т880Г Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т880Г Ni

300815
10,80 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Транзисторы 2Т880А, 2Т880Б, 2Т880В, 2Т880Г, 2Т880Д выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Транзисторы 2Т880А-5 выпускается в виде...
View
Транзистор КТ828Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ828Б

259525
6,07 BYN
Транзисторы КТ828Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания, высоковольтных переключающих устройствах.Транзисторы КТ828А, КТ828Б, КТ828В, КТ828Г выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса...
View
Транзистор КТС395Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТС395Б

301326
0,80 BYN
Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи.Транзистор КТС395Б служит для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов.Применяется в различных областях приборостроения, радиоэлектронной промышленности, электротехнической...
View
Транзистор КТ925А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ925А Au

301236
21,60 BYN
Транзисторы КТ925А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...400 МГц при напряжении питания 12,6 В.Используются для работы в бортовой аппаратуре подвижных средств радиосвязи общего назначения.Выпускаются в металлокерамическом...
View
Транзистор КТ3189В9
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3189В9

301309
0,40 BYN
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный n-p-n транзистор малой мощности.Транзисторы КТ3189В9 предназначены для использования в усилителях, генераторах, преобразователях частоты и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в миниатюрном...
View
Транзистор 2Т652А Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т652А Ni

301023
2,60 BYN
ранзистор 2Т652А - кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n переключающий.Корпус металлокерамика.Предназначен для использования в аппаратуре специального назначения.Диапазон рабочих температур окружающей среды составляет от минус 60 до 125 °С.
View
Транзистор 2ПС202Г-1
Транзисторы отечественные

Транзистор 2ПС202Г-1

301669
1,08 BYN
Транзисторная сборка 2ПС202Г-1 состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионно-легированных полевых малошумящих транзисторов с p-n переходом и каналом n-типа.Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
View
Транзистор КТ315Е
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ315Е

259439
0,88 BYN
Транзисторы КТ315Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы соответствующего типономинала.Масса транзистора не более 0,18 г.
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ814В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ814В

259508
0,88 BYN
Транзисторы КТ814В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
View
Транзистор КТ818Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ818Г

259516
3,87 BYN
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.
View
Транзистор КТ816Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ816Г

259512
1,45 BYN
Транзисторы КТ816Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.