Транзистор П701А

Транзистор П701А

Артикул: 259853

Транзисторы П701А кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах радиоэлектронных устройств.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 12 г, с крепежным фланцем - не более 16 г.

9,90 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
259853
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2SC2456
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2456

303612
4,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор TPC8032
Полевые транзисторы

Транзистор TPC8032

276748
3,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SC536
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC536

304134
1,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SK1023
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1023

304692
34,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ8182А аналог MJE13007
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8182А аналог MJE13007

301088
1,40 BYN
Транзисторы КТ8182А кремниевые структуры n-p-n переключательные.Предназначены для использования в качестве ключевых элементов в составе электронных пускорегулирующих аппаратов для газоразрядных ламп, электронных трансформаторов для галогенных ламп, а также сетевых источников вторичного электропитания.
View
Транзистор КТ815В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ815В

301524
1,32 BYN
Транзисторы КТ815В кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
View
Транзистор КТ814В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ814В

259508
0,88 BYN
Транзисторы КТ814В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2Т704Б
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т704Б

301035
5,40 BYN
Транзисторы 2Т704Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.Предназначены для применения в импульсных высоковольтных модуляторах.Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и винтом.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Вывод...
View
Транзистор КП307Е Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор КП307Е Ni

301537
1,20 BYN
Транзисторы КП307Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.Транзисторы КП307Ж в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах...
View
Транзистор 1Т403Д
Транзисторы отечественные

Транзистор 1Т403Д

300726
0,60 BYN
Транзисторы 1Т403Д германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 4...
View
Транзистор 2Т967А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т967А Au

300923
80,00 BYN
Транзисторы 2T967A кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности диапазона частот 1,5...30 МГц при напряжении литания 12,6 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не...
View
Транзистор КТ501Б Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ501Б Ni

301413
2,20 BYN
Транзисторы КТ501Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.
View
Транзистор 2Т837Е
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т837Е

300787
3,80 BYN
Транзисторы 2Т837Д кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы 2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В, 2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.Тип корпуса: КТ-28-2.Технические условия: аА0.339.411 ТУ.
View
Транзистор 2Т634А-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т634А-2 Au

301051
23,80 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в генераторах и усилителях мощности в диапазоне частот 1...5 ГГц в схеме с общей базой в герметизированной аппаратуре.Бескорпусные с защитным покрытием с гибкими выводами на кристаллодержателе.Тип прибора указывается в этикетке.Масса транзистора не...
View
Транзистор КТ814Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ814Г

259509
1,45 BYN
Транзисторы КТ814Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
View
Транзистор 2Т988А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т988А Au

300942
137,36 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в генераторах и усилителях в схеме с общей базой в непрерывном и импульсном режиме в полосе частот 0,7...1 ГГц для 2Т988А, 0,9...1,4 ГГц для 2Т988Б при напряжении питания 28 В.Выпускаются а металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Тип прибора...
View
Транзистор КТ8164А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8164А

301525
1,60 BYN
Транзисторы КТ8164А мощные высоковольтные биполярные n-p-n типа.Предназначены для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Тип...
View
Транзистор КТ8127А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8127А

259828
11,88 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 56 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
View
Транзистор 2Т826А
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т826А

301066
5,40 BYN
Транзисторы 2Т826А кремниевые меза-планарные структуры n-p-n высоковольтные, переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения.Транзисторы 2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В...
View
Транзистор КТ819ГМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ819ГМ

259521
9,90 BYN
Транзисторы КТ819ГМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Транзисторы КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса транзистора не более 20 г.
View
Транзистор КТ503E
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ503E

259489
1,10 BYN
Транзисторы КТ503Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается в этикетке.Масса транзистора не более 0,3 г.
View
Транзистор КТ801А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ801А

301497
1,00 BYN
Транзисторы КТ801А кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания.Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего назначения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Маркируются...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ818Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ818Г

259516
3,87 BYN
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.
View
Транзистор КТ814В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ814В

259508
0,88 BYN
Транзисторы КТ814В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
View
Транзистор КТ8182А аналог MJE13007
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8182А аналог MJE13007

301088
1,40 BYN
Транзисторы КТ8182А кремниевые структуры n-p-n переключательные.Предназначены для использования в качестве ключевых элементов в составе электронных пускорегулирующих аппаратов для газоразрядных ламп, электронных трансформаторов для галогенных ламп, а также сетевых источников вторичного электропитания.
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.