Транзистор П701А

Транзистор П701А

Артикул: 259853

Транзисторы П701А кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах радиоэлектронных устройств.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 12 г, с крепежным фланцем - не более 16 г.

9,90 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
259853
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор КТ3151Д9
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3151Д9

301280
0,40 BYN
Транзисторы КТ3151Д9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях, генераторах, импульсных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем с общей герметизацией.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими...
View
Транзистор 2SC5251
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5251

304119
17,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ817Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ817Г

259514
1,45 BYN
Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,7 г.
View
Транзистор КТ814В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ814В

259508
0,88 BYN
Транзисторы КТ814В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2Т862Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т862Б Au

300802
60,20 BYN
ранзисторы 2Т862Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в схемах импульсных модуляторов, вторичных источниках электропитания, переключающих устройствах.Транзисторы 2Т862Б, 2Т862В, 2Т862Г выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами типа КТ-57.Транзистор 2Т862А в...
View
Транзистор 2Т9123А Au ОС
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т9123А Au ОС

300845
11,80 BYN
2Т9123АМощные биполярные n-p-n транзисторы Дарлингтона с рассеиваемой мощностью 60 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока более 130 МГц.Предназначен для применения в переключательных схемах.Тип корпуса КТ-9.Технические условия: аА0.339.661ТУ.
View
Транзистор 2Т984Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т984Б Au

300937
21,60 BYN
Транзисторы 2Т984Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в импульсных усилителях мощности класса С в схеме с общей базой в диапазоне частот 720...820 МГц при напряжении питания 50 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.Транзисторы содержат внутренние согласующие...
View
Транзистор МП26Б
Германиевые транзисторы

Транзистор МП26Б

301344
0,40 BYN
Транзисторы МП26Б германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные.Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.Масса транзистора не более 2 г.Тип корпуса: КТЮ-3-6.Технические условия: ПЖ0.336.004 ТУ.
View
Транзистор 2Т967А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т967А Au

300923
80,00 BYN
Транзисторы 2T967A кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности диапазона частот 1,5...30 МГц при напряжении литания 12,6 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не...
View
Транзистор 1Т403Г
Транзисторы отечественные

Транзистор 1Т403Г

300725
1,00 BYN
Транзисторы 1Т403Г германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 4...
View
Транзистор КТ644Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ644Г

259496
1,10 BYN
Транзисторы КТ644Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях различного назначения, импульсных и переключающих устройствах, в оконечных устройствах ЭВМ.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на...
View
Транзистор КТ629А-2
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ629А-2

301462
1,20 BYN
Транзисторы КТ629А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательныебескорпусные на керамическом кристаллодержателе с защитным покрытием с гибкими выводами.Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем.
View
Транзистор 2Т856В
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т856В

300801
10,80 BYN
Транзисторы 2Т856В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах.Транзисторы 2Т856А, 2Т856Б, 2Т856В, 2Т856Г выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 16 г,Тип корпуса: КТ-9...
View
Транзистор КТ313А1
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ313А1

301273
0,40 BYN
Транзисторы КТ313А1 кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
View
Транзистор КТ3132Е-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3132Е-2 Au

301269
2,20 BYN
кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума.Предназначены для применения в СВЧ маломощных усилителя диапазона частот 1...7,2 ГГц герметизированной аппаратуры.
View
Транзистор КТС3103А1
Транзисторы отечественные

Транзистор КТС3103А1

301319
3,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600...
View
Транзистор 2Т3121А-6
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т3121А-6

300905
3,20 BYN
2Т3121А-6 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный.Предназначен для применения в импульсных и переключающих устройствах.Транзистор 2Т3121А-6 служит для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов.Применяется в различных областях приборостроения, радиоэлектронной промышленности, электротехнической аппаратуре.
View
Транзистор 3П330А-5 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 3П330А-5 Au

301680
3,20 BYN
Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи.Транзистор 3П330А-5 служит для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов.Применяется в различных областях приборостроения, радиоэлектронной промышленности, электротехнической...
View
Транзистор 2Т856Б
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т856Б

300800
12,80 BYN
Транзисторы 2Т856Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах.Транзисторы 2Т856А, 2Т856Б, 2Т856В, 2Т856Г выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 16 г,Тип корпуса: КТ-9...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ817Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ817Г

259514
1,45 BYN
Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,7 г.
View
Транзистор КТ818Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ818Г

259516
3,87 BYN
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.
View
Транзистор КТ815В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ815В

301524
1,32 BYN
Транзисторы КТ815В кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.