Транзистор КТ818ГМ

Транзистор КТ818ГМ

Артикул: 259519

Транзисторы КТ818ГМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 20 г.

22,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22

Подробнее о товаре

Артикул 259519

Состояние Новый товар

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ814Г

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ814Г

Транзисторы КТ814Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.

Транзистор КТ819ГМ

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ819ГМ

Транзисторы КТ819ГМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Транзисторы КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса транзистора не более 20 г.

Транзистор КТ815Г

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ815Г

Транзисторы КТ815Г кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.

Транзистор КТ817Г

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ817Г

Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,7 г.

Транзистор КТ816Г

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ816Г

Транзисторы КТ816Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КТ837А

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ837А

Транзисторы КТ837А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...

Транзистор П302

Транзисторы отечественные

Транзистор П302

Транзисторы П302 кремниевые сплавные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указан на корпусе.Масса транзистора не более 10 г.Технические условия:...

Транзистор 2Т862Б Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т862Б Ni

Транзисторы 2Т862Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в схемах импульсных модуляторов, вторичных источниках электропитания, переключающих устройствах.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами, транзистор 2Т862Б - в металлическом корпусе с жесткими выводами и...

Транзистор 2Т989Б

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т989Б

Транзисторы 2Т989Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в генераторах и усилителях мощности,работающих в диапазоне частот 2 ГГц при напряжении питания 28 В в схеме с общей базой.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не...

Транзистор КТ312В1 Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ312В1 Ni

Транзисторы КТ312В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Транзистор КТ316А Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ316А Ni

Транзисторы КТ316А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах (КТ316А, КТ316Б, КТ316В).

Транзистор КТ313А1

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ313А1

Транзисторы КТ313А1 кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Транзистор КТ837К

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ837К

Транзисторы КТ837К кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...

Транзистор КТ209Г

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ209Г

Транзисторы КТ209Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.Предназначены для применения в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры, КТ209Б1, КТ209В1 - в блоках ТВ приемников.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами в двух вариантах.

Транзистор 2П333А Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2П333А Au

Транзисторы КП333А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой и высокой частот до 200 МГц в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением.Используются в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в...

КТ816В

Транзисторы отечественные

КТ816В

Транзисторы КТ816В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.Тип...

Транзистор 2П941А Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2П941А Au

Транзисторы 2П941А, 2П941Б, 2П941В, 2П941Г, 2П941Д кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа генераторные. Предназначены для применения в генераторах и усилителях СВЧ диапазона при напряжении питания 12 В.Выпускаются в металлокерамических корпусах с полосковыми выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Тип...

Транзистор КТ3157А

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3157А

p-n-p, Pк 200мВт, fгр >=60мГц, Uкэr 250В(10к), Uэбо 5В, Iк 30мА, Iк и 100мА

Транзистор 2Т977А Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т977А Au

Транзисторы 2Т977А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в автогенераторах диапазона частот 0,6...1,6 ГГц в схемах с общим коллектором в импульсном режиме.Корпус металлокерамический с гибкими выводами и монтажным винтом.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 2 г.Тип корпуса:...

Тразистор КП103Ж1Р

Транзисторы отечественные

Тразистор КП103Ж1Р

Транзисторы КП103Ж1 кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа.Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса...

Транзистор 2Т391А-2 Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т391А-2 Au

Транзисторы 2Т391А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 3,6 ГГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры, обеспечивающих герметизацию.Бескорпусные с гибкими выводами...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ819ГМ

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ819ГМ

Транзисторы КТ819ГМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Транзисторы КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса транзистора не более 20 г.

Транзистор КТ817Г

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ817Г

Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,7 г.

Транзистор КТ816Г

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ816Г

Транзисторы КТ816Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.

Транзистор КТ814Г

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ814Г

Транзисторы КТ814Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.

Транзистор КТ815Г

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ815Г

Транзисторы КТ815Г кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.