Транзистор П701

Транзистор П701

Артикул: 301382

 Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные структу­ ры п-р-п усилительные низкочастотные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах радиоэлектронных устройств

2,80 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
301382

Просмотренные товары

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ815В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ815В

301524
1,32 BYN
Транзисторы КТ815В кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
View
Транзистор КТ8182А аналог MJE13007
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8182А аналог MJE13007

301088
1,40 BYN
Транзисторы КТ8182А кремниевые структуры n-p-n переключательные.Предназначены для использования в качестве ключевых элементов в составе электронных пускорегулирующих аппаратов для газоразрядных ламп, электронных трансформаторов для галогенных ламп, а также сетевых источников вторичного электропитания.
View
Транзистор КТ817Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ817Г

259514
1,45 BYN
Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,7 г.
View
Транзистор КТ814В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ814В

259508
0,88 BYN
Транзисторы КТ814В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор МП41А
Германиевые транзисторы

Транзистор МП41А

294817
4,00 BYN
Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 15 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 10 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.03 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 1 Максимальная...
View
Транзистор ТКД152-63-4-1
Транзисторы отечественные

Транзистор ТКД152-63-4-1

301388
21,60 BYN
Транзистор силовой биполярный n-p-n типа.Предназначен для применения в преобразователях, переключающих и усилительных устройствах, в системах управления электроприводом.Максимально допустимый импульсный ток коллектора - 63АМаксимальное напряжение коллектор-база - 400ВСтруктура условного обозначения:ТКД152-40-6-ХХХ:ТКД - транзистор биполярный n-p-n типа;1...
View
Транзистор КП948В
Транзисторы отечественные

Транзистор КП948В

301609
1,60 BYN
с вертикальным нормально закрытым каналом n-типа, работающий при прямом смещении на затворе, Uзи max=5В.Схема включения аналогична включению биполярных n-p-n транзисторов.Предназначен для применения в быстродействующих силовых схемах радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Применение его вместо КТ858, КТ859, КТ872 и т.п. позволяет в 2 раза снизить потери...
View
Транзистор 2Т819В
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т819В

301064
3,20 BYN
Транзисторы 2Т819В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Маркируются цифро-буквенным...
View
Транзистор КТ312В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ312В

259435
4,58 BYN
Транзисторы КТ312В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.
View
Транзистор 2Т364А-2
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т364А-2

300985
2,00 BYN
Транзисторы 2Т364А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах герметизированной аппаратуры.Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами и защитным покрытием.Выпускаются в индивидуальной сопроводительной таре.Тип прибора указывается на сопроводительной таре.Масса...
View
Транзистор 2П303А Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2П303А Ni

301629
2,40 BYN
Транзисторы 2П303А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением.
View
Транзистор КТ501И Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ501И Ni

301416
2,20 BYN
Транзисторы КТ501И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
View
Транзистор 2Т203Б Ni ОС
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т203Б Ni ОС

300758
4,20 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Транзисторы 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,5 г.Тип корпуса: КТ-1-7.Технические...
View
Транзистор 2Т848А
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т848А

300796
16,00 BYN
Транзисторы 2Т848А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в электронных схемах зажигания автомобильной радиоэлектронной аппаратуры.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 20 г.Тип корпуса: КТ-9...
View
Транзистор 2Т931А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т931А Au

300868
48,00 BYN
Транзисторы 2Т931А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено.Тип...
View
Транзистор 2Т312А Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т312А Ni

300915
2,80 BYN
Транзисторы 2Т312А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.Тип корпуса: КТЮ-3-1.Технические условия: ЖК3.365.143 ТУ.
View
Транзистор ГТ403Г
Транзисторы отечественные

Транзистор ГТ403Г

259856
1,10 BYN
Транзисторы ГТ403Г германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 4 г.
View
Транзистор КП504А
Транзисторы отечественные

Транзистор КП504А

301548
0,80 BYN
Кpемниевые эпитаксиально-планаpные полевые тpанзистоpы с изолиpованным затвоpом, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом.КП504А пpедназначены для использования в источниках втоpичного электpопитания с бестpансфоpматоpным входом, в pегулятоpах, стабилизатоpах с непpеpывным импульсным упpавлением, блоках питания эвм, cхемах упpавления...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ815В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ815В

301524
1,32 BYN
Транзисторы КТ815В кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
View
Транзистор КТ8182А аналог MJE13007
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8182А аналог MJE13007

301088
1,40 BYN
Транзисторы КТ8182А кремниевые структуры n-p-n переключательные.Предназначены для использования в качестве ключевых элементов в составе электронных пускорегулирующих аппаратов для газоразрядных ламп, электронных трансформаторов для галогенных ламп, а также сетевых источников вторичного электропитания.
View
Транзистор П701А
Транзисторы отечественные

Транзистор П701А

259853
9,90 BYN
Транзисторы П701А кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные.Предназначены для применения в усилителях и генераторах радиоэлектронных устройств.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 12 г, с крепежным фланцем - не более 16 г.
View
Транзистор КТ817Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ817Г

259514
1,45 BYN
Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,7 г.
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.