Транзистор BD140

Транзистор BD140

Артикул: 260104

PNP 100V, 1.5A, 12W, >50MHz

1,67 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
260104
Новый товар

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ817Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ817Г

259514
1,45 BYN
Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,7 г.
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор SGSIF444
Биполярные транзисторы

Транзистор SGSIF444

311615
11,00 BYN
Наименование производителя: SGSIF444Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 AПредельная температура PN-перехода (Tj): 175 °CКорпус транзистора: ISO218
View
Транзистор 2SD1764
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1764

304384
3,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2500
View
Транзистор 2SA1538
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1538

303010
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC3420
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3420

264760
3,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2N3904 to-92
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N3904 to-92

264718
0,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC1626
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1626

303497
6,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 44H11G
Биполярные транзисторы

Транзистор 44H11G

274950
3,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50...
View
Транзистор BUT11AF orig
Биполярные транзисторы

Транзистор BUT11AF orig

275271
7,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SD1609
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1609

304332
3,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода...
View
Транзистор 2SC5931
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5931

304196
18,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Микросхема NE555N dip-8
Микросхемы импортные

Микросхема NE555N dip-8

264602
1,32 BYN
 представляют собой времязадающую схему (таймер).Предназначены для формирования импульсов напряжения длительностью от нескольких микросекунд до десятков минут, обнаружения сбоя в импульсной последовательности, обеспечения прецизионной временной выдержки и для применения в стабильных датчиках времени, генераторах импульсов, широтноимпульсных, частотных и...
View
Транзистор КТ817Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ817Г

259514
1,45 BYN
Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,7 г.
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.