Транзистор КТ816Г

Транзистор КТ816Г

Артикул: 259512

Транзисторы КТ816Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.

1,45 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
259512
Новый товар

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор BD139 orig.
Биполярные транзисторы

Транзистор BD139 orig.

275137
1,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КТ326Б Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ326Б Ni

301348
2,20 BYN
Транзисторы КТ326Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.
View
Транзистор КТ826Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ826Б

301107
3,20 BYN
Транзисторы КТ826Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими...
View
Транзистор 2П303Д Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2П303Д Ni

301632
3,80 BYN
Транзисторы 2П303Д кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением.
View
Транзистор 2Т994А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т994А Au

300948
503,20 BYN
Транзисторы 2Т994А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в генераторах и усилителях мощности диапазона частот 1,4...1,6 ГГц в импульсном режиме в схеме с общей базой при напряжении питания 45 В.Транзистор содержит согласующие цепи.Тип прибора указывается на кристаллодержателе.Масса транзистора не...
View
Транзистор КТ503Е
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ503Е

301427
0,60 BYN
Транзисторы КТ503Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, средней мощности.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
View
Транзистор КТ3101Д
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3101Д

301176
0,56 BYN
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот.Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.Бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и приклеиваемой компаундом керамической крышкой.Тип прибора указывается в этикетке.Масса транзистора не более...
View
Транзистор КТ892В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ892В

301215
13,00 BYN
Наименование производителя: KT892B Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A...
View
Транзистор 3П604В-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 3П604В-2 Au

301688
27,00 BYN
 полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде барьера Шотки и каналом n-типа генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 18 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках.
View
Транзистор КТС622Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТС622Б Au

301330
10,80 BYN
Транзисторные матрицы 2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А, КТС622Б,состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-pпереключающих сверхвысокочастотных транзисторов.Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.Тип...
View
Транзистор КТ8181Б аналог MJE13004
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8181Б аналог MJE13004

301087
0,80 BYN
ОПИСАНИЕ ТОВАРА Описание Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе.Предназначен для использования в ключевых и линейных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре,изготавливаемой для народного хозяйства.
View
Транзистор КТ645Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ645Б

301476
0,40 BYN
Транзисторы КТ645Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высокочастотные.Предназначены для применения в высокочастотных генераторах и усилителях, в быстродействующих импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
View
Транзистор КТ826А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ826А

301106
3,20 BYN
Транзисторы КТ826А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими...
View
Транзистор 2Т989Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т989Б Au

300945
43,00 BYN
Транзисторы 2Т989Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в генераторах и усилителях мощности,работающих в диапазоне частот 2 ГГц при напряжении питания 28 В в схеме с общей базой.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор BD139 orig.
Биполярные транзисторы

Транзистор BD139 orig.

275137
1,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор КТ818ГМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ818ГМ

259519
24,20 BYN
Транзисторы КТ818ГМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса транзистора не более 20 г.
View
Транзистор 2N5551
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5551

259995
0,35 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода...
View
Транзистор КТ815Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ815Г

259511
1,76 BYN
Транзисторы КТ815Г кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.