Транзистор КТ818Г

Транзистор КТ818Г

Артикул: 259516

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.

3,87 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
259516
Новый товар

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ837В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ837В

301120
2,80 BYN
Транзисторы КТ837В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КТ8158А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8158А

301523
4,20 BYN
Транзистор КТ8158А кремниевый структуры n-p-n эпитаксиально-планарный составной (транзистор Дарлингтона).  Предназначен для работы в выходных каскадах усилителей низкой частоты, в ключевых и линейных схемах и других узлах и блоках аппаратуры  широкого применения.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Тип прибора указывается в...
View
Транзистор 2Т388А-2
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т388А-2

300996
3,80 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты, импульсных и переключающих устройствах герметизированной аппаратуры.Бескорпусные на металлическом кристаллодержателе 2Т388АМ-2 и без кристаллодержателя 2Т388А-2.Выпускаются в сопроводительной таре с возможностью измерения...
View
Транзистор КТ3102Д Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3102Д Au

301188
3,80 BYN
Транзисторы кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.Транзисторы КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д, КТ3102Е выпускаются  в металлостеклянном корпусе с гибкими...
View
Транзистор КТ853В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ853В

301145
1,00 BYN
Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 7 Максимальная рассеиваемая...
View
Транзистор 2Т974Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т974Б Au

300930
80,00 BYN
Транзисторы 2Т974Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в импульсных и линейных устройствах и преобразователях.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1,5 г.Тип корпуса: КТ-2-7.Технические условия: аА0.339.287 ТУ.
View
Транзистор 2Т934В Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т934В Au

300875
25,40 BYN
Транзисторы 2Т934В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.Тип прибора указывается на корпусе.Масса...
View
Транзистор 2Т689АС Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т689АС Au

301033
34,40 BYN
Транзисторы 2Т689АС p-n-p биполярные переключательные импульсные с рассеиваемой мощностью не более 0.4 Вт, с граничной частотой коэффициента передачи тока не более 300 МГц.Тип корпуса: 401.14-6.Технические условия: аА0.339.758ТУ.
View
Транзистор КТ3151А9
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3151А9

301278
0,40 BYN
Транзисторы КТ3151А9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях, генераторах, импульсных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем с общей герметизацией.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими...
View
Транзистор КТ313А1
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ313А1

301273
0,40 BYN
Транзисторы КТ313А1 кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
View
Транзистор 2Т970А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т970А Au

300927
109,80 BYN
Транзисторы 2Т970А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Внутри корпуса имеется двухзвенная LС-цепь.Тип прибора...
View
Транзистор КТ991АС Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ991АС Au

301316
21,60 BYN
Сборки КТ991АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в схеме с общей базой в полосе частот 350...700 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Тип сборки указывается на...
View
Транзистор КП737Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КП737Б

301567
1,60 BYN
Тpанзистоpы КП737Б  полевые с изолиpованным затвоpом, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом.Пpедназначены для использования в источниках втоpичного электpопитания с бестpансфоpматоpным входом, в pегулятоpах, стабилизатоpах и преобразователях с непpеpывным импульсным упpавлением, cхемах упpавления электpодвигателями и дpугой...
View
Транзистор КТ382Б Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ382Б Ni

301408
0,80 BYN
 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот.Выпускаются в металлостеклокерамическом с гибкими полосковыми выводами.На крышке корпуса наносится условная маркировка цветным кодом:...
View
Транзистор П309А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор П309А Au

301372
13,00 BYN
кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные.Предназначены для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Обозначение типа приводися на корпусе.Масса транзистора не более 2 г.Тип корпуса: КТЮ-3-6.Технические условия: ЖК3.365.059ТУ.
View
Транзистор КТ944А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ944А

301250
228,80 BYN
Транзисторы КТ944А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности на частотах 1,5...30 МГц при напряжении питания 28 В.Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным...
View
Транзистор КП809Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КП809Б

301597
18,40 BYN
Транзисторы КП809А кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа переключательные.Предназначены для применения в импульсных источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ973Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ973Б

259814
1,98 BYN
Транзисторы КТ973Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в выходных каскадах систем автоматики.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.
View
Транзистор КТ815В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ815В

301524
1,32 BYN
Транзисторы КТ815В кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
View
Транзистор КТ814В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ814В

259508
0,88 BYN
Транзисторы КТ814В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
View
Транзистор H30R1203 ( 30N120R3 )
Транзисторы IGBT

Транзистор H30R1203 ( 30N120R3 )

289728
17,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 349 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.55 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Емкость...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.