Транзистор RJH1CF7

Транзистор RJH1CF7

Артикул: 266633
Вес 8 г
IGBT 1200V 60A_N-Channel
Напряжение, V: 1200
IGBT с диодом: С диодом
Ток, A: 60

28,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

IGBT 1200V 60A_N-Channel

266633
Новый товар

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор GW60V60DF
Транзисторы IGBT

Транзистор GW60V60DF

268386
21,00 BYN
Маркировка: GW60V60DF Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 375 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.15 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода...
Транзистор SGB10N60A d2pak (to263)
Транзисторы IGBT

Транзистор SGB10N60A d2pak (to263)

293379
10,00 BYN
Наименование: SGB10N60A Маркировка: G10N60A Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 92W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.3V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20A Корпус: D2PAK(TO263)
Транзистор IHW20N135R5 to247
Транзисторы IGBT

Транзистор IHW20N135R5 to247

293255
27,20 BYN
Наименование: IHW20N135R5 Маркировка: H20PR5 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 288 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1350 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.65 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40...
Транзистор SPA15N60C3
Транзисторы IGBT

Транзистор SPA15N60C3

275904
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 AСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm
Транзистор SGB07N120 d2pak (to263)
Транзисторы IGBT

Транзистор SGB07N120 d2pak (to263)

293378
25,60 BYN
Наименование: SGB07N120 Маркировка: GB07N120 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.7V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16.5A Корпус: D2PAK(TO263)
Транзистор GT45G128 to220f
Транзисторы IGBT

Транзистор GT45G128 to220f

293144
23,20 BYN
Наименование: GT45G128 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 430 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.55 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.