Транзистор IKW40N120T2

Транзистор IKW40N120T2

Артикул: 302555

Транзистор IGBT

40,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Номинальная Мощность
480 W
Количество Стежков
3
Рассеяние Мощности
480 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)
1200 V
Обратное время восстановления
258 ns
Максимальная входная мощность
480 W
Рабочая температура (Макс)
175 ℃
Рабочая температура (мин)
-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
480 W
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-247-3
размеры
Длина
16.13 mm
Ширина
5.21 mm
Высота
21.1 mm
Корпус/Пакет
TO-247-3
физическое
Рабочая Температура
-40℃ ~ 175℃ (TJ)
302555

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRGS14C40LPbf (GS14C40) to-263-3
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGS14C40LPbf (GS14C40) to-263-3

265887
20,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.55V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14A Максимальная температура перехода (Tj): 150
Транзистор 25N15L (SUD25N15-52) to-252 (d-pak)
Транзисторы IGBT

Транзистор 25N15L (SUD25N15-52) to-252 (d-pak)

266418
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 72 nC Время нарастания (tr): 3...
Транзистор GT50J325 2-21f2c
Транзисторы IGBT

Транзистор GT50J325 2-21f2c

266548
26,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 240 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 Максимальная температура перехода (Tj): 150
Транзистор IKW75N60T (K75T60) to247
Транзисторы IGBT

Транзистор IKW75N60T (K75T60) to247

293259
49,20 BYN
Наименование: IKW75N60T Маркировка: K75T60 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 428W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A Корпус: TO247
Транзистор GTP14N36G3VL
Транзисторы IGBT

Транзистор GTP14N36G3VL

293146
14,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.45V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 10V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.