Транзистор HGTP7N60C3D

Транзистор HGTP7N60C3D

Артикул: 304468
11,72 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 8.5

Тип корпуса: TO220AB

304468

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC5331
Транзисторы IGBT

Транзистор 2SC5331

295048
21,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор STW15NK90Z
Транзисторы IGBT

Транзистор STW15NK90Z

275906
17,40 BYN
Максимальная рабочая температура 150 °CКоличество элементов на ИС 1Длина 15.75ммTransistor Configuration ОдинарныйТипичное время задержки включения 42 нсПроизводитель STMicroelectronicsТипичное время задержки выключения 135 nsМаксимальный непрерывный ток стока 15 А
Транзистор GT30J122 to3p
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30J122 to3p

293142
47,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 Максимальная температура перехода (Tj): 150
Транзистор G20N60B3D
Транзисторы IGBT

Транзистор G20N60B3D

293129
38,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 165W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор IKW75N60T (K75T60) to247
Транзисторы IGBT

Транзистор IKW75N60T (K75T60) to247

293259
49,20 BYN
Наименование: IKW75N60T Маркировка: K75T60 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 428W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A Корпус: TO247
Транзистор IRG4PSH71UD
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4PSH71UD

268394
72,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 350W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.70V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 99A
Транзистор GT40T301
Транзисторы IGBT

Транзистор GT40T301

268389
47,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1500V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 5V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 15V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 400
Транзистор STGW30NC60KD
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW30NC60KD

305007
41,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 Тип корпуса: TO247
Транзистор GT40WR21
Транзисторы IGBT

Транзистор GT40WR21

282633
33,60 BYN
Максимальная рабочая температура 175 °C Длина 15.5мм Transistor Configuration Одинарный Производитель Toshiba Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1800 В Максимальный непрерывный ток коллектора 40 A Тип корпуса TO-3P Максимальное рассеяние мощности 375 W Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия Ширина 4.5мм Высота 20мм...
Транзистор IRG4PSC71UD
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4PSC71UD

268393
51,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 350W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.00V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60A Максимальная температура перехода (Tj): 150

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.