Транзистор UPD15N03LA

Транзистор UPD15N03LA

Артикул: 302527

Транзисторный IGBT-чип N-CH 1200V 30A 186000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P

17,20 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Технология траншеи NPT, положительный температурный коэффициент • Низкое напряжение насыщения: VCE(sat), typ = 1,9 В @ IC= 15 А и TC= 25oC • Низкие потери при переключении: Eoff, typ = 0,6 МДж @ IC= 15 А и TC= 25oC • Чрезвычайно Повышенная Лавинная Способность

302527

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор SGB10N60A d2pak (to263)
Транзисторы IGBT

Транзистор SGB10N60A d2pak (to263)

293379
10,00 BYN
Наименование: SGB10N60A Маркировка: G10N60A Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 92W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.3V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20A Корпус: D2PAK(TO263)
View
Транзистор IRG7PH42UD to247
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG7PH42UD to247

293289
62,00 BYN
Наименование: IRG7PH42UD Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 320W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.00V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 85A Корпус: TO247
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.