Транзистор GT40T301

Транзистор GT40T301

Артикул: 268389

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1500V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 5V

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 15V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 400

47,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

 

IGBT 1500V,40A,200W,Usat=3.7V
268389
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2SK2232
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2232

304772
16,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRGR3B60KD2 PBF
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGR3B60KD2 PBF

305017
7,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 52 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.4 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.8
Транзистор H30R1203 ( 30N120R3 )
Транзисторы IGBT

Транзистор H30R1203 ( 30N120R3 )

289728
17,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 349 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.55 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Емкость...
Транзистор IRGB20B60PD1 to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGB20B60PD1 to-220

266565
25,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 215W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.35V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A
Транзистор GT60M301
Транзисторы IGBT

Транзистор GT60M301

268390
41,36 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.4V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 15V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 400
Транзистор IRGS14C40LPbf (GS14C40) to-263-3
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGS14C40LPbf (GS14C40) to-263-3

265887
20,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.55V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14A Максимальная температура перехода (Tj): 150
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.