Транзистор SKW30N60HS

Транзистор SKW30N60HS

Артикул: 305004

Маркировка: K30N60HS

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.8

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 41

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 21

Емкость коллектора (Cc), pf: 203

Тип корпуса: TO247

35,60 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
305004

Просмотренные товары

Транзистор КТ863В1
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ863В1

301182
1,60 BYN
Транзисторы КТ863В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, электронных фотовспышках.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 2,5 г. ый
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор GT40WR21
Транзисторы IGBT

Транзистор GT40WR21

282633
33,60 BYN
Максимальная рабочая температура 175 °C Длина 15.5мм Transistor Configuration Одинарный Производитель Toshiba Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1800 В Максимальный непрерывный ток коллектора 40 A Тип корпуса TO-3P Максимальное рассеяние мощности 375 W Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия Ширина 4.5мм Высота 20мм...
View
Транзистор IRGS14C40LPbf (GS14C40) to-263-3
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGS14C40LPbf (GS14C40) to-263-3

265887
20,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.55V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14A Максимальная температура перехода (Tj): 150
View
Транзистор FGA40N65SMD orig.
Транзисторы IGBT

Транзистор FGA40N65SMD orig.

282637
23,52 BYN
Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 349 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 12 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 92...
View
Транзистор IRGP4062D to-247
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGP4062D to-247

266564
20,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.95V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 48A
View
Транзистор GW50NB60M
Транзисторы IGBT

Транзистор GW50NB60M

268387
45,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 190W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.8V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.