Транзистор RJH30E2

Транзистор RJH30E2

Артикул: 266705

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.7

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 35

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 100

Емкость коллектора (Cc), pf: 60

6,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

IGBT 360V,30A_с диодом_with diode

266705
Новый товар

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор GW30N120KD (STGW30N120KD) to-247
Транзисторы IGBT

Транзистор GW30N120KD (STGW30N120KD) to-247

266553
18,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 220W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.7V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20A
Транзистор IRGR3B60KD2 PBF
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGR3B60KD2 PBF

305017
7,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 52 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.4 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.8
Транзистор STGW30V60DF
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW30V60DF

294936
36,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 260 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.15 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
Транзистор IKW50N60H3(K50H603) to-247
Транзисторы IGBT

Транзистор IKW50N60H3(K50H603) to-247

266561
22,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 333W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.85V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100A
Транзистор IRG7S313U
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG7S313U

278009
8,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 78W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 330V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.45V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A
Транзистор 25N15L (SUD25N15-52) to-252 (d-pak)
Транзисторы IGBT

Транзистор 25N15L (SUD25N15-52) to-252 (d-pak)

266418
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 72 nC Время нарастания (tr): 3...
Транзистор G40N150D
Транзисторы IGBT

Транзистор G40N150D

268385
40,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1500V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.7V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 180

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.