Транзистор IKW15N120H3FKSA1

Транзистор IKW15N120H3FKSA1

Артикул: 302551

IGBT Trench Field Stop 1.2 V 30A 217W Сквозное отверстие PG-TO247-3

66,80 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
302551

Просмотренные товары

Транзистор H40N03 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор H40N03 dpak (to252)

293197
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 60 ns Выходная емкость (Cd): 380 pf...
View
Транзистор 12N60 to220
Полевые транзисторы

Транзистор 12N60 to220

293160
8,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 225 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 115 ns Выходная емкость (Cd): 200...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SD1556
Транзисторы IGBT

Транзистор 2SD1556

295047
12,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор IRG4BC30UD (IGBT 23A, 600В) to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4BC30UD (IGBT 23A, 600В) to-220

266556
10,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12A Максимальная температура перехода (Tj): 150
View
Транзистор STGD3NB60SDT4
Транзисторы IGBT

Транзистор STGD3NB60SDT4

305018
16,20 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 48 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.1 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 Тип корпуса: DPAK
View
Транзистор GT40WR21
Транзисторы IGBT

Транзистор GT40WR21

282633
33,60 BYN
Максимальная рабочая температура 175 °C Длина 15.5мм Transistor Configuration Одинарный Производитель Toshiba Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1800 В Максимальный непрерывный ток коллектора 40 A Тип корпуса TO-3P Максимальное рассеяние мощности 375 W Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия Ширина 4.5мм Высота 20мм...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.