Транзистор RJP30H2A

Транзистор RJP30H2A

Артикул: 266704

IGBT 360V,35A_N-Channel

7,00 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 35

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 180

Емкость коллектора (Cc), pf: 60

266704
Новый товар

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор KF7N60F
Полевые транзисторы

Транзистор KF7N60F

311961
9,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 100 pf...
Транзистор GT30F131 (30F130) to-263-3
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30F131 (30F130) to-263-3

266566
6,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)

В этой категории 16 товаров:

Транзистор FGA40N65SMD orig.
Транзисторы IGBT

Транзистор FGA40N65SMD orig.

282637
23,52 BYN
Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 349 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 12 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 92...
Транзистор IRG4PF50WD (IGBT 51A, 900В) to-247ac
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4PF50WD (IGBT 51A, 900В) to-247ac

266423
24,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 28A Максимальная температура перехода (Tj): 175

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор MDF11N65B
Полевые транзисторы

Транзистор MDF11N65B

302461
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 49.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 52 ns Выходная емкость (Cd): 180...
Транзистор GT30F131 (30F130) to-263-3
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30F131 (30F130) to-263-3

266566
6,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
Транзистор KF7N60F
Полевые транзисторы

Транзистор KF7N60F

311961
9,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 100 pf...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.