Транзистор RJP30H2A

Транзистор RJP30H2A

Артикул: 266704

IGBT 360V,35A_N-Channel

7,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 35

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 180

Емкость коллектора (Cc), pf: 60

266704
Новый товар

Просмотренные товары

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор KF7N60F
Полевые транзисторы

Транзистор KF7N60F

311961
9,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 100 pf...
View
Транзистор MDF11N65B
Полевые транзисторы

Транзистор MDF11N65B

302461
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 49.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 52 ns Выходная емкость (Cd): 180...
View
Транзистор GT30F131 (30F130) to-263-3
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30F131 (30F130) to-263-3

266566
6,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор G30N60 (SGP30N60) to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор G30N60 (SGP30N60) to-220

266510
7,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 208W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 63A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Транзистор STGW30NC60KD
Транзисторы IGBT

Транзистор STGW30NC60KD

305007
41,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 Тип корпуса: TO247
View
Транзистор GT30J124 to-220f
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30J124 to-220f

266421
9,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.4 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
View
Транзистор GW20N60HS to247
Транзисторы IGBT

Транзистор GW20N60HS to247

293148
32,80 BYN
Маркировка: G20N60HS Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 178W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.5V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 36A
View
Транзистор RJH60F5
Транзисторы IGBT

Транзистор RJH60F5

266693
24,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 260.4 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.37V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор KF7N60F
Полевые транзисторы

Транзистор KF7N60F

311961
9,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 100 pf...
View
Транзистор MDF11N65B
Полевые транзисторы

Транзистор MDF11N65B

302461
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 49.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 52 ns Выходная емкость (Cd): 180...
View
Транзистор GT30F131 (30F130) to-263-3
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30F131 (30F130) to-263-3

266566
6,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.