Транзистор RJP30H2A

Транзистор RJP30H2A

Артикул: 266704

IGBT 360V,35A_N-Channel

7,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 35

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 180

Емкость коллектора (Cc), pf: 60

266704
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2SD869
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD869

304643
54,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор GT30F131 (30F130) to-263-3
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30F131 (30F130) to-263-3

266566
6,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
Транзистор MDF11N65B
Полевые транзисторы

Транзистор MDF11N65B

302461
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 49.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 52 ns Выходная емкость (Cd): 180...
Транзистор KF7N60F
Полевые транзисторы

Транзистор KF7N60F

311961
9,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 100 pf...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRGP4062D to-247
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGP4062D to-247

266564
20,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.95V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 48A
Транзистор 25N15L (SUD25N15-52) to-252 (d-pak)
Транзисторы IGBT

Транзистор 25N15L (SUD25N15-52) to-252 (d-pak)

266418
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 72 nC Время нарастания (tr): 3...
Транзистор IHW20N135R5 to247
Транзисторы IGBT

Транзистор IHW20N135R5 to247

293255
27,20 BYN
Наименование: IHW20N135R5 Маркировка: H20PR5 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 288 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1350 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.65 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор KF7N60F
Полевые транзисторы

Транзистор KF7N60F

311961
9,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 100 pf...
Транзистор MDF11N65B
Полевые транзисторы

Транзистор MDF11N65B

302461
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 49.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 52 ns Выходная емкость (Cd): 180...
Транзистор GT30F131 (30F130) to-263-3
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30F131 (30F130) to-263-3

266566
6,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.