Транзистор H30R1202 ( 30N120R2 )

Транзистор H30R1202 ( 30N120R2 )

Артикул: 274696

IGBT 30A 1200V (IGBT300 W)( Diode135 W)

15,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
274696
Новый товар

Просмотренные товары

Нейзильбер проволока мягк 0,5 мм 20 м
Нейзильбер проволока

Нейзильбер проволока мягк 0,5 мм 20 м

293842
23,60 BYN
Проволока из нейзильбера мягкая. Диаметр: 0,5 мм Длина намотки: 20 мНейзильбер марки МНЦ 15-20 содержит Ni 13,5%, до 16,5% и Zn 18 до 22%, представляет твердый раствор цинка и никеля в меди (однофазный сплав). Такой сплав прекрасно обрабатывается под давлением в холодном и горячем состоянии. Установлено так же, что марка нейзильбера МНЦ 15-20,...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор G60N100BNTD 2-21f2c
Транзисторы IGBT

Транзистор G60N100BNTD 2-21f2c

266555
27,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.9 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор IRF635
Транзисторы IGBT

Транзистор IRF635

270162
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.5 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.68 OhmТип корпуса: TO220
Транзистор GW60V60DF
Транзисторы IGBT

Транзистор GW60V60DF

268386
21,00 BYN
Маркировка: GW60V60DF Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 375 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.15 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода...
Транзистор IRGR3B60KD2 PBF
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGR3B60KD2 PBF

305017
7,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 52 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.4 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.8
Транзистор IRG4PC50U (IGBT 55A, 600В) to-247ac
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4PC50U (IGBT 55A, 600В) to-247ac

266422
22,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 27A Максимальная температура перехода (Tj): 175
Транзистор RJH60F5
Транзисторы IGBT

Транзистор RJH60F5

266693
24,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 260.4 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.37V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.