Транзистор GT40WR21

Транзистор GT40WR21

Артикул: 282633
Максимальная рабочая температура
175 °C
Длина
15.5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Toshiba
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1800 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
40 A
Тип корпуса
TO-3P
Максимальное рассеяние мощности
375 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.5мм
Высота
20мм
Число контактов
3
Размеры
15.5 x 4.5 x 20мм
Скорость переключения
0.55мкс
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±25V
Тип канала
N
Емкость затвора
4500пФ
33,60 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
282633

В этой категории 16 товаров:

Транзистор K30N60HS
Транзисторы IGBT

Транзистор K30N60HS

305005
55,00 BYN
Маркировка: K30N60HS Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.8 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 41 Максимальная температура перехода...
View
Транзистор RJH60F5
Транзисторы IGBT

Транзистор RJH60F5

266693
24,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 260.4 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.37V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Транзистор GT60N321 (Q) (60A, 1000V)
Транзисторы IGBT

Транзистор GT60N321 (Q) (60A, 1000V)

268392
32,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 170 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода (Tj): 150
View
Транзистор IRF635
Транзисторы IGBT

Транзистор IRF635

270162
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.5 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.68 OhmТип корпуса: TO220
View
Транзистор G60N100BNTD 2-21f2c
Транзисторы IGBT

Транзистор G60N100BNTD 2-21f2c

266555
27,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.9 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.