Транзистор MPF102

Транзистор MPF102

Артикул: 312630

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.35 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 7.5 V

28,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
312630

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор GW60V60DF
Транзисторы IGBT

Транзистор GW60V60DF

268386
21,00 BYN
Маркировка: GW60V60DF Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 375 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.15 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода...
View
Транзистор GW20N60HS to247
Транзисторы IGBT

Транзистор GW20N60HS to247

293148
32,80 BYN
Маркировка: G20N60HS Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 178W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.5V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 36A
View
Транзистор G15N60HS d2pak (to263)
Транзисторы IGBT

Транзистор G15N60HS d2pak (to263)

293128
10,40 BYN
Маркировка: G15N60HS Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 138W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.5V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 27A
View
Транзистор IXGH60N60
Транзисторы IGBT

Транзистор IXGH60N60

268656
30,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 75A Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
View
Транзистор PD55003
Транзисторы IGBT

Транзистор PD55003

302693
52,60 BYN
технические Частота500 MHz ПолярностьN-Channel Рассеяние Мощности31700 mW Пробивное Напряжение (Стока-исток)40.0 V Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)±20.0 V Непрерывный Ток Стока (Ids)2.50 A Выходная Мощность3 W Усиление17 dB Испытательный ток50 mA Входная емкость (Ciss)36pF @12.5V(Vds) Рабочая температура (Макс)165 ℃ Рабочая температура...
View
Транзистор IRGB20B60PD1 to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGB20B60PD1 to-220

266565
25,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 215W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.35V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A
View
Транзистор GT30F131 (30F130) to-263-3
Транзисторы IGBT

Транзистор GT30F131 (30F130) to-263-3

266566
6,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.