Транзистор RJH60F5DPK

Транзистор RJH60F5DPK

Артикул: 302651
62,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 260.4

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.37

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 35

Емкость коллектора (Cc), pf: 122

Корпус: TO3P

302651

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор STGB10NB37LZ (ISL9V3040S3S, 00210)
Транзисторы IGBT

Транзистор STGB10NB37LZ (ISL9V3040S3S, 00210)

267410
20,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.3V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 16V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Транзистор GT45G128 to220f
Транзисторы IGBT

Транзистор GT45G128 to220f

293144
23,20 BYN
Наименование: GT45G128 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 430 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.55 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
View
Транзистор G30N60HS (SGW30N60HS,HGTG30N60HS) to-247
Транзисторы IGBT

Транзистор G30N60HS (SGW30N60HS,HGTG30N60HS) to-247

266562
11,00 BYN
ип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.5V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 41A
View
Транзистор SGB10N60A d2pak (to263)
Транзисторы IGBT

Транзистор SGB10N60A d2pak (to263)

293379
10,00 BYN
Наименование: SGB10N60A Маркировка: G10N60A Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 92W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.3V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20A Корпус: D2PAK(TO263)
View
Транзистор STGD3NB60SDT4
Транзисторы IGBT

Транзистор STGD3NB60SDT4

305018
16,20 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 48 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.1 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 Тип корпуса: DPAK
View
Транзистор IHW20N135R5 to247
Транзисторы IGBT

Транзистор IHW20N135R5 to247

293255
27,20 BYN
Наименование: IHW20N135R5 Маркировка: H20PR5 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 288 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1350 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.65 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40...
View
Транзистор FGA40N65SMD orig.
Транзисторы IGBT

Транзистор FGA40N65SMD orig.

282637
23,52 BYN
Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 349 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 12 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 92...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.